ct60am-18c
rev.1.00, 8月.20.2004, 页 2 的 5
电的 特性
(除非 否则 指定, tj = 25°c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
1000
不
e1
—— VI
C
= 1 毫安, v
GE
= 0 v
集电级-发射级 泄漏 电流 I
CES
—— 1mAV
CE
= 900 v, v
GE
= 0 v
门-发射级 泄漏 电流 I
GES
——
±
0.5
µ
AV
GE
=
±
20 v, v
CE
= 0 v
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
2.0 4.0 6.0 V I
C
= 6 毫安, v
CE
= 10 v
集电级-发射级 saturation 电压 V
ce(sat)
—2.02.7 VI
C
= 60 一个, v
CE
= 15 v
输入 电容 Ciss — 5000 — pF
输出 电容 Coss — 125 — pF
反转 转移 电容 Crss — 85 — pF
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v,
f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
—0.05—
µ
s
上升 时间 t
r
—0.12—
µ
s
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—0.30—
µ
s
下降 时间 t
f
—0.25—
µ
s
I
C
= 60 一个, resistive 负载,
V
CC
= 300 v, v
GE
= 15 v,
R
G
= 10
Ω
tail 丧失 Etail — 0.6 1.0 mj/pls
tail 电流 I
tail
—612A
I
CP
= 60 一个, tj = 125
°
c,
dv/dt = 200 v/
µ
s,
单独的-设备 电压
resonance 电路
发射级-集电级 电压 V
EC
—— 3 VI
E
= 60 一个, v
GE
= 0 v
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
—0.5 2
µ
sI
E
= 60 一个, di/dt = 20 一个/
µ
s
热的 阻抗 (igbt) rth(j-c) — — 0.625
°
c/w 接合面 至 情况
热的 阻抗 (二极管) rth(j-c) — — 4.0
°
c/w 接合面 至 情况
注释: 1 选择 值
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