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资料编号:235350
 
资料名称:CT60AM-18C
 
文件大小: 97.54K
   
说明
 
介绍:
Insulated Gate Bipolar Transistor
 
 


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ct60am-18c
rev.1.00, 8月.20.2004, 页 4 的 5
门 承担 qg (nc) 发射级-集电级 电压 v
EC
(v)
门-发射级 电压 vs.
门 承担 典型的 (典型)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
发射级 电流 vs.
发射级-集电级 电压 (典型)
发射级 电流 i
E
(一个)
0
4
8
12
16
20
0 80 160 240 320
400
400V
600V
0
16
32
48
64
80
0 0.8 1.6 2.4 3.2
4.0
I
C
= 60a
tj = 25°c
V
CE
= 250v
V
GE
= 0v
脉冲波 测试
tc = 25°c
脉冲波 宽度 tw (s) 脉冲波 宽度 tw (s)
接合面 温度 tj (°c)
接合面 温度 tj (°c)
igbt 瞬时 热的
阻抗 特性
瞬时 热的 阻抗 zth( j – c ) (°c/w)
二极管 瞬时 热的
阻抗 特性
瞬时 热的 阻抗 zth( j – c ) (°c/w)
门-发射级 门槛 电压 vs.
接合面 温度 (典型)
门-发射级 门槛 电压 v
ge(th)
(v)
集电级-发射级 损坏 电压 v
(br)ces
(t°c)
集电级-发射级 损坏 电压 vs.
接合面 温度 (典型)
集电级-发射级 损坏 电压 v
(br)ces
(25°c)
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
–50 0 50 100
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
–50 0 50 100
150
10
–5
10
–2
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
23 5723 57
10
–1
23 57
10
–2
10
–3
10
0
23 57
10
1
10
–2
7
5
3
2
10
–1
2
23 57
10
–3
23 57
10
–4
57
10
–5
10
–2
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
1
23 5723 57
10
–1
23 57
10
–2
10
–3
10
0
23 57
10
1
10
–2
7
5
3
2
10
–1
3
2
5
23 57
10
–3
23 57
10
–4
57
V
CE
= 400v
I
C
= 20ma
V
GE
= 0v
I
C
= 1ma
单独的 脉冲波 单独的 脉冲波
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