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ctd100, cdt100
thyristor-二极管 modules, 二极管-thyristor modules
图. 1 surge 超载 电流
I
TSM
, i
FSM
: crest 值, t: 持续时间
图. 2 i
2
dt 相比 时间 (1-10 ms) 图. 2a 最大 向前 电流
在 情况 温度
图. 3 电源 消耗 相比 在-状态 电流 和 包围的 温度
(每 thyristor 或者二极管)
图. 5 三 阶段 整流器 桥:电源 消耗 相比 直接输出 电流
和 包围的温度
图. 4  门 触发 特性
图. 6  门 触发 延迟 时间
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0.1
1
10
I
G
V
G
毫安
1: i
GT
, t
VJ
= 125
o
C
2: i
GT
, t
VJ
=   25
o
C
3: i
GT
, t
VJ
=  -40
o
C
V
4: p
GAV
= 0.5 w
5: p
GM
=    5 w
6: p
GM
=  10 w
I
GD
, t
VJ
= 125
o
C
3
4
2
1
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6
10 100 1000
1
10
100
1000
毫安
I
G
s
t
gd
限制
典型值
T
VJ
= 25
o
C
deecorp.
3 x ctd/cdt100

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ctd100, cdt100 thyristor-二极管 modules, 二极管-thyristor modules 图. 1 surge 超载电流 I TSM , i FSM : crest 值, t: 持续时间图. 2 i 2 dt 相比时间 (1-10 ms) 图. 2a 最大向前电流在情况温度图. 3 电源消耗相比在-状态电流和包围的温度 (每 thyristor 或者二极管) 图. 5 三阶段整流器桥:电源消耗相比直接输出电流和包围的温度图. 4 门触发特性图. 6 门触发延迟时间 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 0.1 1 10 I G V G 毫安 1: i GT , t VJ = 125 o C 2: i GT , t VJ = 25 o C 3: i GT , t VJ = -40 o C V 4: p GAV = 0.5 w 5: p GM = 5 w 6: p GM = 10 w I GD , t VJ = 125 o C 3 4 2 1 5 6 10 100 1000 1 10 100 1000 毫安 I G s t gd 限制典型值 T VJ = 25 o C deecorp. 3 x ctd/cdt100

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