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资料编号:241410
 
资料名称:CY62146DV30LL-70ZSXI
 
文件大小: 406.63K
   
说明
 
介绍:
4-Mbit (256K x 16) Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY62146DV30
文档 #: 38-05339 rev. *a 页 5 的 11
切换 特性
在 这 运行 范围
[12]
参数 描述
45 ns
[10]
55 ns 70 ns
单位最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环
t
RC
读 循环 时间 45 55 70 ns
t
AA
地址 至 数据 有效的 45 55 70 ns
t
OHA
数据 支撑 从 地址 改变 10 10 10 ns
t
ACE
CE低 至 数据 有效的 45 55 70 ns
t
DOE
OE低 至 数据 有效的 25 25 35 ns
t
LZOE
OE低 至 低 z
[13]
55 5ns
t
HZOE
OE高 至 高 z
[13, 14]
15 20 25 ns
t
LZCE
CE低 至 低 z
[13]
10 10 10 ns
t
HZCE
CE高 至 高 z
[13, 14]
20 20 25 ns
t
PU
CE低 至 电源-向上 0 0 0 ns
t
PD
CE高 至 电源-向下 45 55 70 ns
t
DBE
BLE/bhe低 至 数据 有效的 25 25 35 ns
t
LZBE
BLE/bhe低 至 低 z
[13]
10 10 10 ns
t
HZBE
BLE/bhe高 至 高 z
[13, 14]
15 20 25 ns
写 循环
[15]
t
WC
写 循环 时间 45 55 70 ns
t
SCE
CE低 至 写 终止 40 40 60 ns
t
AW
地址 设置-向上 至 写 终止 40 40 60 ns
t
HA
地址 支撑 从 写 终止 0 0 0 ns
t
SA
地址 设置-向上 至 写 开始 0 0 0 ns
t
PWE
我们脉冲波 宽度 35 40 45 ns
t
BW
BLE/bhe低 至 写 终止 40 40 60 ns
t
SD
数据 设置-向上 至 写 终止 25 25 30 ns
t
HD
数据 支撑 从 写 终止 0 0 0 ns
t
HZWE
我们低 至 高-z
[13, 14]
15 20 25 ns
t
LZWE
我们高 至 低-z
[13]
10 10 10 ns
注释:
12. 测试 情况 为 所有 参数 其它 比 三-状态 parameters 假设 信号 转变 时间 的 3 ns (1v/ns) 或者 较少,定时 涉及 水平 的 v
cc(典型值)
/2,
输入 脉冲波 水平 的 0 至 v
cc(典型值.)
, 和 输出 加载 的 这 指定 i
OL
/i
OH
作 显示 在 这 “ac 测试 负载 和 waveforms” 部分.
13. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
HZCE
是 较少 比 t
LZCE
, t
HZBE
是 较少 比 t
LZBE
, t
HZOE
是 较少 比 t
LZOE
, 和 t
HZWE
是 较少 比 t
LZWE
为 任何
给 设备.
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
, 和 t
HZWE
transitions 是 量过的 当 这 输出 enter 一个 高-impedence 状态.
15. 这 内部的 写 时间 的 这 记忆 是 定义 用 这 overlap 的 我们
, ce
= v
IL
, bhe和/或者 ble= v
IL
. 所有 信号 必须 是 起作用的 至 initiate 一个 写 和 任何
的 这些 信号 能 terminate 一个 写 用going inactive. 这 数据 输入 设置-向上 和 支撑 定时 应当 是 关联 至 这 edge 的 这 信号 那 terminates
这 写.
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