D2013UK
prelim.12/00
semelab plc.
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P
D
电源 消耗
BV
DSS
流 – 源 损坏 电压 *
BV
GSS
门 – 源 损坏 电压 *
I
d(sat)
流 电流 *
T
stg
存储 温度
T
j
最大 运行 接合面 温度
83W
65V
±20V
4A
–65 至 150°c
200°C
机械的 数据
F
一个
C
B
(
2 pls
)
K
2
3
E
1
G
(
4 pls
)
5
4
D
N
M
JIH
金 metallised
multi-目的 硅
dmos rf 场效应晶体管
20w – 28v – 1ghz
PUSH–PULL
特性
• simplified 放大器 设计
• 合适的 为 broad 带宽 产品
• 非常 低 c
rss
• 简单的 偏差 电路
• 低 噪音
• 高 增益 – 10 db 最小
DK
管脚 1 源 (一般)
管脚 3 流 2
管脚 5 门 1
管脚 2 流 1
管脚 4 门 2
绝对 最大 比率
(t
情况
= 25
°
c 除非 否则 陈述)
产品
•
hf/vhf/uhf communications
从 1mhz 至 2 ghz
metal 门 rf 硅 场效应晶体管
TetraFET
DIM mm tol. 英寸 tol.
一个 6.45 0.13 0.254 0.005
B 1.65r 0.13 0.065r 0.005
C45
°
5
°
45
°
5
°
D 16.51 0.76 0.650 0.03
E 6.47 0.13 0.255 0.005
F 18.41 0.13 0.725 0.005
G 1.52 0.13 0.060 0.005
H 4.82 0.25 0.190 0.010
I 24.76 0.13 0.975 0.005
J 1.52 0.13 0.060 0.005
K 0.81r 0.13 0.032r 0.005
M 0.13 0.02 0.005 0.001
N 2.16 0.13 0.085 0.005
* 每 一侧