D2253UK
prelim. 9/00
semelab plc.
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P
D
电源 消耗
BV
DSS
流 – 源 损坏 电压 *
BV
GSS
门 – 源 损坏 电压 *
I
d(sat)
流 电流 *
T
stg
存储 温度
T
j
最大 运行 接合面 温度
15W
40V
±20V
2A
–65 至 150°c
200°C
机械的 数据
金 metallised
multi-目的 硅
dmos rf 场效应晶体管
5w – 12.5v – 1ghz
PUSH–PULL
特性
• simplified 放大器 设计
• 合适的 为 broad 带宽 产品
• 非常 低 c
rss
• 简单的 偏差 电路
• 低 噪音
• 高 增益 – 10 db 最小
绝对 最大 比率
(t
情况
= 25°c 除非 否则 陈述)
产品
•
vhf/uhf communications
从 1mhz 至 1 ghz
metal 门 rf 硅 场效应晶体管
TetraFET
* 每 一侧
管脚 1 源 (一般)
管脚 2 流 1
管脚 3 流 2
管脚 4 源 (一般)
管脚 5 源 (一般)
管脚 6 门 2
管脚 7 门 1
管脚 8 源 (一般)
dbc4 包装
DIM mm tol. 英寸 tol.
一个 6.47 0.08 .255 .003
B 0.76 0.08 .030 .003
C 45° 5° 45
°
5°
D 0.76 0.08 .030 .003
E 1.14 0.08 .045 .003
F 2.67 0.08 .105 .003
G 11.73 0.13 .462 .005
H 8.43 0.08 .332 .003
I 7.92 0.08 .312 .003
J 0.20 0.02 .008 .001
K 0.64 0.02 .025 .001
L 0.30 0.02 .012 .001
M 3.25 0.08 .128 .003
N 2.11 0.08 .083 .003
O 6.35sq 0.08 .250sq .003
P 1.65 0.51 .065 .020
Q 0.13 最大值 .005 最大值
R 0.25 0.07 0.010 .003