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资料编号:244876
 
资料名称:2SD2654
 
文件大小: 87.49K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistor (50V, 0.15A)
 
 


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2SD2707
/
2SD2654
/
2SD2351
/
2SD2226K
/
2SD2227S
晶体管
rev.一个 2/3
z
电的 特性
(ta = 25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
f
T
Cob
60
50
12
250
3.5
0.3
0.3
0.3
V
V
V
µ
一个
µ
一个
V
MHz
pF
I
C
=
10
µ
一个
I
C
=
1mA
I
E
=
10
µ
一个
V
CB
=
50V
V
EB
=
12V
I
C
/i
B
=
50ma/5ma
V
CE
/i
C
=
5v/1ma
h
FE
820
2700
V
CE
=
5v, i
E
=−
10ma, f
=
100MHz
V
CB
=
5v, i
E
=
0a, f
=
1MHz
输出 电容
转变 频率
集电级-发射级 饱和 电压
发射级 截止 电流
集电级 截止 电流
发射级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
集电级-根基 损坏 电压
直流 电流 转移 比率
量过的 使用 脉冲波 电流.
z
电的 特性 曲线
0
0
0.20.1 0.3 0.4
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.5
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
图.1 grounded 发射级 输出
特性 (
Ι
)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
Ta=25
°
C
2.0
µ
一个
1.2
µ
一个
1.0
µ
一个
0.8
µ
一个
0.6
µ
一个
0.4
µ
一个
0.2
µ
一个
I
B
=0
1.8
µ
一个
1.6
µ
一个
1.4
µ
一个
0
841216
40
80
120
160
200
020
0 0.40.2
0.2
0.5
0.6 0.8 1.0
1
2
5
20
10
50
100
200
1.41.2
根基 至 发射级 电压 : v
(v)
图.3 grounded 发射级 传播
特性
集电级 电流 : i
C
(毫安)
V
CE
=5V
Ta=100
°
C
25
°
C
25
°
C
集电级 至 发射级 电压 : v
CE
(v)
图.2 grounded 发射级 输出
特性 (
ΙΙ
)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
500
µ
一个
450
µ
一个
400
µ
一个
350
µ
一个
250
µ
一个
200
µ
一个
150
µ
一个
100
µ
一个
50
µ
一个
I
B
=0
Ta=25
°
C
量过的
使用 脉冲波 电流
300
µ
一个
0.2 1 2 50.5 10 20 50 100
10000
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
200
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.4 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流 (
Ι
)
直流 电流 增益 : h
FE
Ta=25
°
C
量过的
使用 脉冲波 电流
V
CE
=10V
5V
3V
0.2 1 2 50.5 10 20 50 100
10000
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
200
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.5 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流 (
ΙΙ
)
直流 电流 增益 : h
FE
V
CE
=5V
量过的
使用 脉冲波 电流
Ta=100
°
C
25
°
C
25
°
C
12 50.5 10 20 50 100
1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
0.2 200
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.6 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
Ι
)
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(mv)
Ta=25
°
C
I
C
/
I
B
=50
20
10
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