这些 设备 是 设计 primarily 为 uhf mixer 产品
但是 是 合适的 也 为 使用 在 探测器 和 ultra–fast 切换
电路.
•
非常 低 电容 — 较少 比 1.0 pf @ 零 伏特
•
低 向前 电压 — 0.5 伏特 (典型值) @ i
F
= 10 毫安
最大 比率
(各自 二极管)
比率
标识 值 单位
持续的 反转 电压 V
R
7.0 V
CC
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr–5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质
(2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbd352lt1 = m5g; mmbd353lt1 = m4f; mmbd354lt1 = m6h; mmbd355lt1 = mj1
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(各自 二极管)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
向前 电压
(i
F
= 10 madc)
V
F
— 0.60 V
反转 电压 泄漏 电流 (便条 3.)
(v
R
= 3.0 v)
(v
R
= 7.0 v)
I
R
—
—
0.25
10
一个
电容
(v
R
= 0 v, f = 1.0 mhz)
C — 1.0 pF
1. fr–5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2. alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
3. 为 各自 单独的 二极管 当 这 第二 二极管 是 unbiased.
半导体 组件 industries, llc, 2001
十一月, 2001 – rev. 4
1
发行 顺序 号码:
mmbd352lt1/d
1
2
3
MMBD352LT1
情况 318–08, 样式 11
sot–23 (to–236ab)
MMBD353LT1
情况 318–08, 样式 19
sot–23 (to–236ab)
MMBD354LT1
情况 318–08, 样式 9
sot–23 (to–236ab)
MMBD355LT1
情况 318–08, 样式 12
sot–23 (to–236ab)
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