©2002 仙童 半导体 公司 rev. 一个, 二月 2002
D45H2A
1
至-220
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
热的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 30 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 8.0 一个
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 100ma, ib = 0 30 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= 60v, ie = 0 10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 5v, ic = 0 100
µ
一个
在 特性
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 8a
V
CE
= 5v, i
C
= 10a
V
CE
= 5v, i
C
= 12a
100
80
65
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 8a, i
B
= 0.4a 1 V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 8a, i
B
= 0.8a 1.5 V
小 信号 特性
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 10v, i
C
= 500ma 25 MHz
标识 参数 最大值 单位
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
60
480
W
mw/
°
C
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 2.1
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 62.5
°
c/w
D45H2A
PNPPower一个mplifier
• 这个 设备 是 设计 为 电源 放大器, 调整器 和 切换
电路 在哪里 速 是 重要的.
• sourced 从 处理 5q.
1. 根基 2. 集电级 3. 发射级
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