AD5310
–3–rev. 一个
定时 特性
1, 2
限制 在 t
最小值
, t
最大值
参数 V
DD
= 2.7 v 至 3.6 v V
DD
= 3.6 v 至 5.5 v 单位 情况/comments
t
1
3
50 33 ns 最小值 sclk 循环 时间
t
2
13 13 ns 最小值 sclk 高 时间
t
3
22.5 13 ns 最小值 sclk 低 时间
t
4
0 0 ns 最小值
同步
至 sclk rising 边缘 建制 时间
t
5
5 5 ns 最小值 数据 建制 时间
t
6
4.5 4.5 ns 最小值 数据 支撑 时间
t
7
0 0 ns 最小值 sclk 下落 边缘 至
同步
rising 边缘
t
8
50 33 ns 最小值 最小
同步
高 时间
注释
1
所有 输入 信号 是 指定 和 tr = tf = 5 ns (10% 至 90% 的 v
DD
) 和 安排时间 从 一个 电压 水平的 的 (v
IL
+ v
IH
)/2.
2
看 图示 1.
3
最大 sclk 频率 是 30 mhz 在 v
DD
= +3.6 v 至 +5.5 v 和 20 mhz 在 v
DD
= +2.7 v 至 +3.6 v.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
SCLK
同步
DIN
t
1
t
2
t
3
t
5
t
6
t
7
t
8
t
4
DB15
DB0
图示 1. 串行 写 运作
(v
DD
= +2.7 v 至 +5.5 v; 所有 规格 t
最小值
至 t
最大值
除非 否则 指出)
绝对 最大 ratings*
(t
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
V
DD
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +7 v
数字的 输入 电压 至 地 . . . . . . . .–0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
V
输出
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
运行 温度 范围
工业的 (b 版本) . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
c 至 +105
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
接合面 温度 (t
J
最大值) . . . . . . . . . . . . . . . . .+150
°
C
sot-23 包装
电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (t
J
Max–T
一个
)/
θ
JA
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+220
°
C
µ
soic 包装
电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (t
J
Max–T
一个
)/
θ
JA
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
°
c/w
θ
JC
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+220
°
C
*stresses 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的 sections
的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 condi-
tions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
订货 手册
温度 Branding 包装
模型 范围 信息 Options*
AD5310BRT –40
°
c 至 +105
°
C D3B rt-6
AD5310BRM –40
°
c 至 +105
°
C D3B rm-8
*rt = sot-23; rm =
µ
soic.
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 ad5310 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备