AD7575
–3–
rev. b
定时 规格
1
限制 在 +25
C 限制 在 t
最小值
, t
最大值
限制 在 t
最小值
, t
最大值
参数 (所有 版本) (j, k, 一个, b 版本) (s, t 版本) 单位 情况/comments
t
1
0 0 0 ns 最小值
CS
至
RD
建制 时间
t
2
100 100 120 ns 最大值
RD
至
BUSY
传播 延迟
t
3
2
100 100 120 ns 最大值 数据 进入 时间 之后
RD
t
4
100 100 120 ns 最小值
RD
脉冲波 宽度
t
5
0 0 0 ns 最小值
CS
至
RD
支撑 时间
t
6
2
80 80 100 ns 最大值 数据 进入 时间 之后
BUSY
t
7
3
10 10 10 ns 最小值 数据 支撑 时间
80 80 100 ns 最大值
t
8
0 0 0 ns 最小值
BUSY
至
CS
延迟
注释
1
定时 规格 是 样本 测试 在 +25
°
c 至 确保 遵从. 所有 输入 控制 信号 是 指定 和 tr = tf = 20 ns (10% 至 90% 的 +5 v)
和 安排时间 从 一个 电压 水平的 的 1.6 v.
2
t
3
和 t
6
是 量过的 和 这 加载 电路 的 图示1 和 定义 作 这 时间 必需的 为 一个 输出 至 交叉 0.8 v 或者 2.4 v.
3
t
7
是 定义 作 这 时间 必需的 为 这 数据 线条 至 改变 0.5 v 当 承载 和 这 电路 的 图示 2.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
DD
= +5 v, v
REF
= +1.23 v, agnd = dgnd = 0 v)
测试 电路
绝对 最大 ratings*
V
DD
至 agnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v, +7 v
V
DD
至 dgnd. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v, +7 v
agnd 至 dgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v, v
DD
数字的 输入 电压 至 dgnd . . . . . . . –0.3 v, v
DD
+ 0.3 v
数字的 输出 电压 至 dgnd . . . . . . –0.3 v, v
DD
+ 0.3 v
clk 输入 电压 至 dgnd . . . . . . . . . –0.3 v, v
DD
+ 0.3 v
V
REF
至 agnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v, v
DD
ain 至 agnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v, v
DD
运行 温度 范围
商业的 (j, k 版本) . . . . . . . . . . . . . . 0
°
c 至 +70
°
C
工业的 (一个, b 版本) . . . . . . . . . . . . . –25
°
c 至 +85
°
C
扩展 (s, t 版本) . . . . . . . . . . . . . –55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . .+300
°
C
电源 消耗 (任何 包装) 至 +75
°
C . . . . . . . 450 mw
derates 在之上 +75
°
c 用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 mw/
°
C
*stresses 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 ad7575 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
b 高-z 至 v
OL
一个. 高-z 至 v
OH
图示 1. 加载 电路 为 数据 进入 时间 测试 图示 2. 加载 电路 为 数据 支撑 时间 测试
一个. v
OH
至 高-z b. v
OL
至 高-z
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
DGND
3k
100pF
DBN
DGND
3k
100pF
DBN
+5V
DGND
3k
10pF
DBN
DGND
3k
10pF
DBN
+5V
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