首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:251570
 
资料名称:MCD94-20IO1B
 
文件大小: 52.99K
   
说明
 
介绍:
High Voltage Thyristor Module High Voltage Thyristor/Diode Modules
 
 


: 点此下载
  浏览型号MCD94-20IO1B的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
© 2000 ixys 所有 权利 保留
2 - 2
optional accessories 为 单元-类型 mcc 94 版本 1 b
keyed 门/cathode twin plugs 和 线 长度 = 350 mm, 门 = 黄, cathode = red
类型
zy 200l
(l = left 为 管脚 一双 4/5) ul 758, 样式 1385,
类型
zy 200r
(r = 正确的 为 管脚 一双 6/7) csa 类 5851, 手册 460-1-1
1.5
1.6
100
200
0.22
0.11
0.42
0.21
12.7
9.6
50
15
0.85
3.2
0.25
10
150
维度 在 mm (1 mm = 0.0394")
MCC 94
mcd 94
标识 测试 情况 典型的 值
I
RRM
, i
DRM
T
VJ
= t
VJM
; v
R
= v
RRM
毫安
V
T
I
T
= 300 一个; t
VJ
= 25
C 1.74 V
V
T0
为 电源-丧失 calculations 仅有的 (t
VJ
= t
VJM
)v
r
T
m
V
GT
V
D
= 6 v; T
VJ
= 25
CV
T
VJ
= -40
CV
I
GT
V
D
= 6 v; T
VJ
= 25
CmA
T
VJ
= -40
CmA
V
GD
T
VJ
= t
VJM
;v
D
= 2/3 v
DRM
V
I
GD
T
VJ
= t
VJM
;v
D
= 2/3 v
DRM
毫安
I
L
T
VJ
= 25
c; v
D
= 6 v; t
P
= 30
s 200 毫安
di
G
/dt = 0.45 一个/
s; i
G
= 0.45 一个
I
H
T
VJ
= 25
c; v
D
= 6 v; r
GK
=
毫安
t
gd
T
VJ
= 25
c; v
D
= 1/2 v
DRM
2
s
di
G
/dt = 0.45 一个/
s; i
G
= 0.45 一个
t
q
T
VJ
= t
VJM
; v
R
= 100 v; v
D
= 2/3 v
DRM
; t
P
= 200
s 典型值 185
s
dv/dt = 20 v/
s; i
T
= 150 一个; -di/dt = 10 一个/
s
Q
S
T
VJ
= t
VJM
170
C
I
RM
-di/dt = 6 一个/
s; i
T
= 50 一个 45 一个
R
thJC
每 thyristor; 直流 电流 k/w
每 单元 k/w
R
thJK
每 thyristor; 直流 电流 k/w
每 单元 k/w
d
S
creeping 距离 在 表面 mm
d
一个
creepage 距离 在 空气 mm
一个
最大 容许的 acceleration m/s
2
10 100 1000
1
10
100
1000
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
0.1
1
10
I
G
V
G
毫安
毫安
I
G
1: i
GT
, t
VJ
= 125
°
C
2: i
GT
, t
VJ
= 25
°
C
3: i
GT
, t
VJ
= -40
°
C
µ
s
t
gd
V
4: p
GAV
= 0.5 w
5: p
GM
= 5 w
6: p
GM
= 10 w
I
GD
, t
VJ
= 125
°
C
3
4
2
1
5
6
限制
典型值
T
VJ
= 25
°
C
图. 1 门 触发 特性
图. 2 门 触发 延迟 时间
R
thJC
为 各种各样的 传导 angles d:
d R
thJC
(k/w)
直流 0.22
180
0.23
120
0.25
60
0.27
30
0.28
constants 为 z
thJC
计算:
iR
thi
(k/w) t
i
(s)
1 0.0066 0.0019
2 0.0678 0.0477
3 0.1456 0.344
R
thJK
为 各种各样的 传导 angles d:
d R
thJK
(k/w)
直流 0.42
180
0.43
120
0.45
60
0.47
30
0.48
constants 为 z
thJK
计算:
iR
thi
(k/w) t
i
(s)
1 0.0066 0.0019
2 0.0678 0.0477
3 0.1456 0.344
4 0.2 1.32
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com