1997 8月 15 9
飞利浦 半导体 产品 规格
多样的 电压 调整器 和 转变 TDA3603
特性
V
P
= 14.4 v; t
amb
=25
°
c; 看 图.7; 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应
V
P
供应 电压
运行 9.75 14.4 25 V
调整器 2 在 便条 1 2.4 14.4 25 V
jump 开始 t
≤
10 分钟
−−
30 V
加载 丢弃 保护 在 50 ms; t
r
≥
2.5 ms
−−
50 V
I
q
安静的 电流 V
P
= 12.4 v; 便条 2
−
400 500
µ
一个
V
P
= 14.4 v; 便条 2
−
420
−µ
一个
施密特 触发 电源 供应 为 这 电源 转变
V
thr
rising 电压 门槛 4.0 4.5 5.0 V
V
thf
下落 电压 门槛 3.5 4.0 4.5 V
V
hys
hysteresis
−
0.5
−
V
施密特 触发 为 调整器 1
V
thr
rising 电压 门槛 4.0 4.5 5.0 V
V
thf
下落 电压 门槛 3.5 4.0 4.5 V
V
hys
hysteresis
−
0.5
−
V
施密特 触发 电源 供应 为 调整器 2
V
thr
rising 电压 门槛 6.0 6.5 7.1 V
V
thf
下落 电压 门槛 1.7 1.9 2.2 V
V
hys
hysteresis
−
4.7
−
V
施密特 触发 为 使能 输入
V
thr
rising 电压 门槛 1.7 2.2 2.7 V
V
thf
下落 电压 门槛 1.5 2.0 2.5 V
V
hys
hysteresis
−
0.2
−
V
施密特 触发 为 重置 缓存区
V
r(reg2)
rising 电压 的 调整器 2 便条 3
−
V
REG2
−
0.15
−
V
V
f(reg2)
下落 电压 的 调整器 2 便条 3
−
V
REG2
−
0.25
−
V
V
展开
电压 展开 在 追踪 便条 4
−
10
−
mV
施密特 触发 为 ignition 缓存区
V
thr
rising 电压 门槛 1.7 2.2 2.7 V
V
thf
下落 电压 门槛 1.5 2.0 2.5 V
V
hys
hysteresis
−
0.2
−
V
重置 缓存区
I
下沉
低-水平的 下沉 电流 V
RES
≤
0.8 V 15 20
−
毫安
I
leak
泄漏 电流 V
P
= 14.4 v; v
RES
= 5 V 25 50 100
µ
一个
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