DAC7512E/250_集成电路资料查询网

DAC7512
9
SBAS156B
www.德州仪器.com
典型 特性: v
DD
= +2.7v
(内容.)
在 t
一个
= +25°c, +v
DD
= +2.7v, 除非 否则 指出.
全部-规模 错误 vs 温度
–40
错误 (mv)
温度 (
°
c)
0 40 80 120
30
20
10
0
–10
–20
–30
零-规模 错误 vs 温度
–40
错误 (mv)
温度 (
°
c)
0 40 80 120
30
20
10
0
–10
–20
–30
源 和 下沉 电流 能力
0
V
输出
(v)
I
源/下沉
(毫安)
51015
3
2
1
0
dac 承载 和 fff
H
dac 承载 和 000
H
V
DD
= +3v
500
400
300
200
100
0
供应 电流 vs 代号
0
I
DD
(
µ
一个)
代号
200
H
400
H
600
H
800
H
A00
H
C00
H
E00
H
FFF
H
供应 电流 vs 温度
–40
I
DD
(
µ
一个)
温度 (
°
c)
0 40 80 120
300
250
200
150
100
50
0
I
DD
HISTOGRAM
频率
I
DD
(
µ
一个)
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
V
REF
系 至 v
DD
.

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DAC7512 9 SBAS156B www.德州仪器.com 典型特性: v DD = +2.7v (内容.) 在 t 一个 = +25°c, +v DD = +2.7v, 除非否则指出. 全部-规模错误 vs 温度 –40 错误 (mv) 温度 ( ° c) 0 40 80 120 30 20 10 0 –10 –20 –30 零-规模错误 vs 温度 –40 错误 (mv) 温度 ( ° c) 0 40 80 120 30 20 10 0 –10 –20 –30 源和下沉电流能力 0 V 输出 (v) I 源/下沉 (毫安) 51015 3 2 1 0 dac 承载和 fff H dac 承载和 000 H V DD = +3v 500 400 300 200 100 0 供应电流 vs 代号 0 I DD ( µ 一个) 代号 200 H 400 H 600 H 800 H A00 H C00 H E00 H FFF H 供应电流 vs 温度 –40 I DD ( µ 一个) 温度 ( ° c) 0 40 80 120 300 250 200 150 100 50 0 I DD HISTOGRAM 频率 I DD ( µ 一个) 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 V REF 系至 v DD .

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