4
V
REFTC
涉及 电压 tempco 50 ppm/°c
V
REFLOAD
涉及 加载 规章制度 0 < i
加载
< 100µa 0.5 0.5 %/°c
控制 - doubler
VC2V 电压 doubler 输出 V
DD
= 5v, i
加载
= 10ma 7.5 8.1 8.7 V
控制 - 振荡器
F
RAMP
振荡器 ramp 振幅 1.2 V
I
osc chg
振荡器 承担 电流 0.2v < v
OSC
< 1.4v 150 µA
I
osc dis
振荡器 释放 电流 0.2v < v
OSC
< 1.4v 5 毫安
F
OSC
振荡器 最初的 精度 105 125 145 kHz
t
同步
最小 振荡器 同步 宽度 50 ns
电源 - 场效应晶体管
I
LEAK
L
X
输出 泄漏 至 v
SS
L
X
= 0v 100 µA
R
DSON
composite 场效应晶体管 阻抗 18 30 m
Ω
R
DSONTC
R
DSON
Tempco 0.1 m
Ω
/°c
t
BRM
场效应晶体管 破裂 在之前 制造 延迟 10 ns
t
LEB
高 一侧 场效应晶体管 最小 在 时间 (leb) 140 ns
电的 规格
V
DD
= v
在
= 5v, c
OSC
= 1nf, c
斜度
= 470pf, t
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
(持续)
参数 描述 情况 最小值 典型值 最大值 单位
EL7556D
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