ds30331 rev. 2 - 2 2 的 3 ddtc (r1-仅有的 序列) ca
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级-根基 损坏 电压
BV
CBO
50
V
I
C
= 50
一个
集电级-发射级 损坏 电压
BV
CEO
50
V
I
C
= 1ma
发射级-根基 损坏 电压
BV
EBO
5
V
I
E
= 50
一个
集电级 截止 电流
I
CBO
0.5
一个
V
CB
= 50v
发射级 截止 电流
I
EBO
0.5
一个
V
EB
= 4v
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
0.3 V
I
c/
I
B
= 10ma/1ma ddtc113tca
I
c/
I
B
= 5ma/0.5ma ddtc123tca
I
c/
I
B
= 2.5ma/.25ma ddtc143tca
I
c/
I
B
= 1ma/.1ma ddtc114tca
I
c/
I
B
= 5ma/0.5ma ddtc124tca
I
c/
I
B
= 2.5ma/.25ma ddtc144tca
I
c/
I
B
= 1ma/0.1ma ddtc115tca
I
c/
I
B
= .5ma/.05ma ddtc125tca
直流 电流 转移 比率
h
FE
100 250 600
I
C
= 1ma, v
CE
= 5v
输入 电阻 (r
1
) 容忍
D
R
1
-30
+30 %
增益-带宽 product*
f
T
250
MHz
V
CE
= 10v, i
E
= -5ma,
f = 100mhz
电的 特性
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
TCUDORPWEN
* 晶体管 - 为 涉及 仅有的
XXX
YM
标记 信息
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Month Jan 二月 March Apr 将 六月 Jul
8月 Sep Oct 十一月 Dec
代号
1234567
89 OND
年 2002 2003 2004 2005 2006
2007 2008 2009
代号
NPRST
UVW
日期 代号 关键
xxx = 产品 类型 标记 代号
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ym = 日期 代号 标记
y = 年 ex: n = 2002
m = month ex: 9 = 九月
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