dg2535/dg2536
vishay siliconix
新 产品
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4
文档 号码: 72939
s-41967—rev. b, 01-十一月-04
典型 特性 (25
c 除非 指出)
−
300
−
250
−
200
−
150
−
100
−
50
0
50
100
150
200
250
300
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
承担injection vs. 相似物电压
V
COM
−
相似物 voltage (v)
Q
−
承担 injection (pc)
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0123456
切换 门槛 vs. 供应 voltage
V+
−
供应 电压 (v)
−
切换门槛 (v)
V
T
100 k
−
90
10 m
10
−
70
−
50
100 m 1 g1 m
嵌入 丧失, 止-分开
串扰 vs. 频率
频率 (hz)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
−
60
−
40
−
20 0 20 40 60 80 100
切换 时间 vs. temperature
/t
在
−
切换 time (ns)
t
止
t
在
v+ = 3 v
t
止
v+ = 3 v
(db)
丧失, oirr, x
表达
−
30
−
10
v+ = 3.0 v
OIRR
X
表达
v+ = 3.0 v
R
L
= 50
温度 (
c)
t
在
v+ = 2 v
t
止
v+ = 2 v
丧失
v+ = 2.0 v
测试 电路
图示 1.
切换 时间
转变
输入
C
L
(包含 fixture 和 偏离 电容)
V+
在
非 或者 nc
C
L
35 pf
COM
逻辑
输入
R
L
300
V
输出
地
V+
50%
0 v
逻辑
输入
转变
输出
t
在
t
止
逻辑 “1” = 转变 在
逻辑 输入 波形 inverted 为 switches 那 有
这 opposite 逻辑 sense.
0 v
转变 输出
V
输出
V
COM
R
L
R
L
R
在
0.9 x v
输出
t
r
5 ns
t
f
5 ns
V
INH
V
INL
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