dg2535/dg2536
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72939
s-41967—rev. b, 01-十一月-04
www.vishay.com
5
测试 电路
图示 2.
破裂-在之前-制造 间隔
C
L
= 1 nf
R
gen
V
输出
COM
V
在
= 0
−
V+
在
地
V+
V+
+
nc 或者 非
图示 3.
承担 injection
C
L
(包含 fixture 和 偏离 电容)
NC
V
非
非
V
NC
0 v
逻辑
输入
转变
输出
V
O
V
NC
= v
非
90%
t
D
在
COM
V+
地
V+
C
L
35 pf
V
O
R
L
300
V
INL
V
INH
t
r
5 ns
t
f
5 ns
t
D
止
OnOn
在
V
输出
V
输出
q =
V
输出
x c
L
在 取决于 在 转变 配置: 输入 极性
决定 用 sense 的 转变.
图示 4.
止-分开
图示 5.
频道 止/在 电容
nc 或者 非
f = 1 mhz
在
COM
地
0 v, 2.4 v
计量表
HP4192A
阻抗
分析器
或者 相等的
10 nf
V+
V+
在
地
nc 或者 非
0v, 2.4 v
10 nf
COM
止 分开
20 log
V
COM
V
非
NC
R
L
分析器
V+
V+
COM
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包装 可靠性 represent 一个 composite 的 所有 qualified locations. 为 related documents此类 作 包装/录音带 绘画, part 标记, 和 可靠性 数据, 看
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