dg2003/2004/2005
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71754
s-05298
—
rev. b, 17-dec-01
www.vishay.com
3
测试 情况
否则 除非 指定
限制
–
40 至 85
C
参数 标识
v+ = 3 v,
10%, v
在
= 0.4 或者 2.0 v
e
温度
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
d
V
非
, v
NC
,
V
COM
全部 0 V+ V
在-阻抗 r
在
v+ = 2.7 v, v
COM
= 1.5 v, i
非
, i
NC
= 10 毫安
房间
全部
2.2
2.4
3.5
3.7
r
在
Flatness
d
r
在
Flatness
v+ = 2.7 v, v
COM
= 0 至 v+, i
非
, i
NC
= 10 毫安 房间 0.5
I
非(止),
I
nc(止)
v+ = 3.3 v
房间
全部
–
500
–
6.0
500
6.0
pA
nA
转变 止 泄漏 电流
f
I
com(止)
v+ = 3.3 v
V
非,
V
NC
= 1 v/3 v, v
COM
= 3 v/1 v
房间
全部
–
500
–
6.0
500
6.0
pA
nA
频道-在 泄漏 电流
f
I
com(在)
v+ = 3.3 v, v
非,
V
NC
= v
COM
= 1 v/3 v
房间
全部
–
500
–
6.0
500
6.0
pA
nA
数字的 控制
输入 高 电压
V
INH
全部 2
输入 低 电压 V
INL
全部 0.4
V
输入 电容
d
C
在
全部 5 pF
输入 电流 I
INL
或者 i
INH
V
在
= 0 或者 v+ 全部
–
1 1
一个
动态 特性
转变-在 时间
d
t
在
V
非
或者 v
NC
= 2.0 v, r
L
= 300
, c
L
= 35 pf
房间
全部
19 35
36
转变-止 时间
d
t
止
V
非
或者 v
NC
= 2.0 v, r
L
= 300
, c
L
= 35 pf
图示 1 和 2
房间
全部
17 31
34
ns
承担 injection
d
Q
INJ
C
L
= 1 nf, v
GEN
= 0 v, r
GEN
= 0
, 图示 3
房间 1 pC
止-分开
d
OIRR
房间
–
61
串扰
d
X
表达
R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz
房间
–
67
dB
非, nc 止 电容
d
C
非(止),
C
nc(止)
V
在
= 0 或者 v+, f = 1 mhz
房间 53
pF
频道-在 电容
d
C
在
V
在
= 0 或者 v+, f = 1 mhz
房间 110
pF
电源 供应
电源 供应 范围 V+ 2.7 3.3 V
电源 供应 电流 I+ 0.02 1.0
一个
电源 消耗量 P
C
V
在
= 0 或者 v+
3.3
W
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