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s-00399—rev. g, 13-sep-99

CLC111
75

+
–
LF356
1
/
4
DG611
5 v 控制
相似物
输入
输入 缓存区
S
在
D
输出 缓存区

5 v 输出
至 一个/d
+5 v +12 v
–5 v
C
支撑
650 pf polystyrene
图示  5.
高-速 样本-和-支撑
+
–
CLC410
75

1
/
2
DG613
Background
D
输出 缓存区
Composite
输出
+5 v +12 v
–5 v
75

Titles
5 v 控制
75

250

1
/
2
CLC114
250

图示  6.
一个 pixel-比率 转变 creates 标题 overlays
1
/
2
DG613
D
1
+5 v
–8 v
D
2
S
1
S
2
在
1
在
2
地 V–
GaAs
RF
在
RF
输出
V
L
V+
图示  7.
一个 高-速 gaas 场效应晶体管 驱动器 那 saves 电源
5 v

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dg611/612/613 vishay siliconix www.vishay.com  faxback 408-970-5600 4-8 文档号码: 70057 s-00399—rev. g, 13-sep-99  CLC111 75  + – LF356 1 / 4 DG611 5 v 控制相似物输入输入缓存区 S 在 D 输出缓存区  5 v 输出至一个/d +5 v +12 v –5 v C 支撑 650 pf polystyrene 图示 5. 高-速样本-和-支撑 + – CLC410 75  1 / 2 DG613 Background D 输出缓存区 Composite 输出 +5 v +12 v –5 v 75  Titles 5 v 控制 75  250  1 / 2 CLC114 250  图示 6. 一个 pixel-比率转变 creates 标题 overlays 1 / 2 DG613 D 1 +5 v –8 v D 2 S 1 S 2 在 1 在 2 地 V– GaAs RF 在 RF 输出 V L V+ 图示 7. 一个高-速 gaas 场效应晶体管驱动器那 saves 电源 5 v

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