dg611/612/613
vishay siliconix
文档 号码: 70057
s-00399—rev. g, 13-sep-99
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4-7
S
1
D
2
S
2
V
S
1 v, 4 v
V
O
在
2
R
g
= 50
1 v, 4 v
X
表达
分开 = 20 log
V
S
V
L
V
O
V+
在
1
50
c = rf 绕过
R
L
D
1
–3 v
地 V–
NC
C
+15 v
C
+5 v
C
C
L
(包含 fixture 和 偏离 电容)
V
L
R
L
R
L
+ r
ds(在)
V
O
= v
S
V
O
2 v
V+
V–
在
V–
S
地
R
L
300
D
C
L
+15 v+5 v
图示 2.
切换 时间
50%
20%
90%
t
在
t
止
逻辑 输入
0 v
5 v
V
S
=
2 v
0 v
转变 输出
t
r
< 10 ns
t
f
< 10 ns
图示 3.
承担 injection
C
L
1 nf
D
R
g
V
O
V+
S
V–
5 v
在
V
L
V
g
–3 v
地
+15 v+5 v
图示 4.
串扰
高-速 样本-和-支撑
在 一个 快 样本-和-支撑 应用, 这 相似物 转变
特性 是 核心的. 一个 快 转变 减少 aperture
uncertainty. 一个 低 承担 injection 排除 补偿 (步伐)
errors. 一个 低 泄漏 减少 droop errors. 这 clc111, 一个 快
输入 缓存区, helps 至 shorten acquisition 和 安排好 时间. 一个
低 泄漏, 低 dielectric absorption 支撑 电容 必须
是 使用. polycarbonate, polystyrene 和 polypropylene
是 好的 choices. 这 jfet 输出 缓存区 减少 droop
预定的 至 它的 低 输入 偏差 电流. (看 图示 5.)
pixel-比率 转变
windows, picture-在-picture, 标题 overlays 是 economically
发生 使用 一个 高-速 相似物 转变 此类 作 这
dg613. 为 这个 应用 这 二 video 来源 必须 是
同步 锁. 这 glitch-较少 相似物 转变 排除 halos.
(看 图示 6.)
gaas 场效应晶体管 驱动器
图示 7
illustrates 一个 高-速 gaas 场效应晶体管 驱动器. 至 转变 这
gaas 场效应晶体管 在 0 v 是 应用 至 它的 门 通过 s
1
, whereas 至 转变
它 止, –8 v 是 应用 通过 s
2
. 这个 高-速, 低-电源
驱动器 是 特别 suited 为 产品 那 需要 一个 大
号码 的 rf switches, 此类 作 phased 排列 radars.
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