UNAPPROVED
不 为
分发
D
S
30142 rev. 1p-52的 2DMDT9922
进步 信息
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
止 特性 (便条 2)
集电级-根基 损坏 电压
V
(br)cbo
-50
V
I
C
= -50
一个, i
E
= 0
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ceo
-40
V
I
C
= -1.0ma, I
B
= 0
发射级-根基 损坏 电压
V
(br)ebo
-5.0
V
I
E
= -50
一个, i
C
= 0
集电级-根基 泄漏 电流
I
CBO
-0.3 -500 nA
V
CB
= -30v
发射级-根基 泄漏 电流
I
EBO
-500 nA
V
EB
= -4.0v
集电级-发射级 泄漏 电流
I
CES
-4 -1000 nA
V
CE
= -40v
在 特性 (便条 2)
直流 电流 增益
h
FE
300 450 555
I
C
= -1.0ma, V
CE
= -6.0v
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
ce(sat)
-0.1
-0.1
-0.5
V
V
I
C
= -50ma, I
B
= -5.0ma
I
C
= -1ma, I
B
= -0.1ma
根基-发射级 阻抗
r
是
-0.5
I
C
= -10
一个 至 -1ma
发射级-根基 补偿 电压
V
OS
10
V
V
CB
= 0v, i
C
= -1
一个 至 -1ma
改变 在 发射级-根基 补偿 电压 vs. 集电级-根基
电压 (cmrr)
V
os/
V
CB
10
V
V
CB
= 0v, i
C
= -1
一个 至 -1ma
改变 在 发射级-根基 补偿 电压 vs.
集电级-电流
V
os/
I
C
5
V
V
CB
= 0v, i
C
= -10
一个 至 -1ma
平均 补偿 电压 逐渐变化
TC V
OS
0.5
V
C
I
C
= -10
一个 至 -1ma
发射级-根基 补偿 电流
I
OS
8
nA
I
C
= -10
一个, V
CB
= 0v
改变 在 发射级-根基 补偿 电流 vs. 集电级-根基
电压
I
os/
V
CB
30
nA
V
CB
= 0 至 -50v
平均 补偿 电流 逐渐变化
TC I
OS
50
pA
C
I
C
= -10
一个
集电级-集电级 泄漏 电流
I
CC
35
pA
V
CE
= -40v
小 信号 特性
输出 电容
C
obo
-4 15 pF
V
CB
= -10v, f = 1.0mhz, i
E
= 0
输入 电容
C
ibo
70 pF
V
EB
= -0.5v, i
C
= 0, f = 1mhz
输出 conductance
h
OE
10
S
I
C
= -1ma, V
CE
= -5v
电流 增益-带宽 产品
f
T
170
MHz
V
CE
= -12v, i
C
= -2.0ma,
f = 100mhz
电的 特性
@ t
一个
= 25
c 除非 否则 指定
注释: 1. 有效的 提供 那 terminals 是 保持 在 包围的 温度.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
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