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相关的 改变
−
50
−
25
0
25 50
75 100
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.3
1.2
短的 电路
门槛
电压
场效应晶体管
阻抗
T
J
−
接合面 温度
−
°
C
I
scp(最大值)
V
ilim(最大值)
R
ds(onmin)
(1)
I
scp(最小值)
V
ilim(最小值)
R
ds(onmax)
(2)
TPS40190
SLUS658A–JULY 2005–修订 8月 2005
应用 信息 (持续)
相关的 短的 电路 门槛 改变
vs
温度
图示 3.
表格 1. 短的 电路 门槛 电压 选择
短的 电路 保护 名义上的 电流 限制
阻抗 电压
R
竞赛
(k
Ω
)v
ILIM
(mv)
10.8 至 13.2 460
打开 320
3.6 至 4.4 160
这 范围 的 短的 电路 电流 门槛 那 能 是 预期的 是 给 用 等式 1 和 等式 2.
在哪里
•
I
SCP
是 这 短的 电路 电流
•
V
ILIM
是 这 短的 电路 门槛
•
R
ds(在)
是 这 频道 阻抗 的 这 高-一侧 场效应晶体管
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