达拉斯市半导体 ds21q352/ds21q552/ds21q354/ds21q554 初步的 数据 薄板
12月 29, 1998 12
电源 供应 de-连接
在 一个 典型 pcb 布局 为 这 ds21x5y, 所有 的 这 vdd 管脚 将 连接 至 一个 一般 电源 平面 和 所有
这 vss 线条 将 连接 至 一个 一般 地面 平面. 那里 是 三 推荐 方法 为 de-
连接 显示 在下 在 两个都 图式 和 pictorial 表格. 作 显示 在 这 pictorials, 这 电容
应当 是 symmetrically located 关于 这 设备. 这 第一 显示 在 图示3使用 标准 电容,
二 33uf tantalums, 二 .33uf ceramics 和 二 .01uf ceramics. 这 第二方法 显示 在 图示4
使用 一个 单独的 68uf tantalum, 二 .33uf ceramics 和 二 .01uf ceramics. 这 第三 方法 显示 在 图示
5使用 仅有的 四 电容, 二 1.5uf mlc 和 二 .01uf ceramics. 这 1.5uf 是 一个 mlc (multi layer
陶瓷的) 类型. 这 mlc 构建 是 一个 低 电感 类型, 这个 准许 一个 小 值 的
电容 至 是 使用. 自从 vdd 和 vss 信号 将 典型地 通过 vertically 至 这 电源 和 地面
平面 的 一个 pcb, 这 de-连接 caps 必须 是 放置 作 关闭 至 这 ds21qx5y 作 可能 和 routed
vertically 至 电源 和 地面 平面.
de-连接 scheme 使用 标准 tantalum caps
. 图示3
de-连接 scheme 使用 单独的 68uf cap
. 图示4
de-连接 scheme 使用 mcl caps
. 图示5
所有 电容 值 在 计算数量3,4和5是 在 uf.
33 .33 .01 33 .33 .01
VDD VDD
DS21Qx5y
.01 .01
.33
.33
33
33
DS21Qx5y
.01
.01
VDD VDD
DS21Qx5y
1.5 1.5 .01
.01
1.5 1.5
DS21Qx5y
.33 .01 .33
VDD VDD
DS21Qx5y
68
.01
.01
.01
.33 .33
68
DS21Qx5y
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