DS2002SF_集成电路资料查询网

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DS2002SF
surge 比率
情况
10ms half sine;  t
情况
= 175
o
C
V
R
= 50% v
RRM
- 1/4 sine
10ms half sine;  t
情况
= 175
o
C
V
R
= 0
最大值 单位标识 参数
I
FSM
surge (非-repetitive) 向前 电流
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing
I
FSM
surge (非-repetitive) 向前 电流
I
2
t
I
2
t 为 fusing 一个
2
s
41.25 kA
5.44 x 10
6
一个
2
s
33.0 kA
热的 和 机械的 数据
直流
情况 最小值 最大值 单位
o
c/w- 0.038anode 直流
夹紧 强迫 19.5kn
和 挂载 复合
热的 阻抗 - 情况 至 散热器
R
th(c-h)
0.004
翻倍 一侧
-
T
vj
模拟的 接合面 温度
T
stg
存储 温度 范围
单独的 一侧
热的 阻抗 - 接合面 至 情况
R
th(j-c)
单独的 一侧 cooled
标识
参数
-55 200
o
C
向前 (组织) - 185
o
C
- 0.008
o
c/w
o
c/w
cathode 直流
- 0.052
o
c/w
翻倍 一侧 cooled
- 0.022
o
c/w
8.5 x 10
6
夹紧 强迫
- kN22.018.0
175
-
o
C反转 (blocking)

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3/7 www.dynexsemi.com DS2002SF surge 比率情况 10ms half sine; t 情况 = 175 o C V R = 50% v RRM - 1/4 sine 10ms half sine; t 情况 = 175 o C V R = 0 最大值单位标识参数 I FSM surge (非-repetitive) 向前电流 I 2 德州仪器 2 t 为 fusing I FSM surge (非-repetitive) 向前电流 I 2 t I 2 t 为 fusing 一个 2 s 41.25 kA 5.44 x 10 6 一个 2 s 33.0 kA 热的和机械的数据直流情况最小值最大值单位 o c/w- 0.038anode 直流夹紧强迫 19.5kn 和挂载复合热的阻抗 - 情况至散热器 R th(c-h) 0.004 翻倍一侧 - T vj 模拟的接合面温度 T stg 存储温度范围单独的一侧热的阻抗 - 接合面至情况 R th(j-c) 单独的一侧 cooled 标识参数 -55 200 o C 向前 (组织) - 185 o C - 0.008 o c/w o c/w cathode 直流 - 0.052 o c/w 翻倍一侧 cooled - 0.022 o c/w 8.5 x 10 6 夹紧强迫 - kN22.018.0 175 - o C反转 (blocking)

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