绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) +7V
使能 输入 电压 (en) +7V
接受者 输入 电压
(v
ID
: ri+, ri−)
±
14V
接受者 输入 电压
(v
CM
: ri+, ri−)
±
14V
接受者 输出 电压 (ro) −0.5v 至 V
CC
+ 0.5v
接受者 输出 电流 (ro)
±
25 毫安
最大 包装 电源 消耗 +25˚C
M 包装 1190 mW
N 包装 1645 mW
减额 M 包装 9.8 mw/˚c 在之上 +25˚C
减额 N 包装 13.9 mw/˚c 在之上 +25˚C
存储 温度 范围 65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 范围
焊接 (4 秒) +260˚C
静电释放 比率 (hbm, 1.5k, 100 pf)
接受者 输入 和 使能
≥
6.5 kV
其它 管脚
≥
2kV
推荐 运行
情况
最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 3.0 3.3 3.6 V
运行 自由 空气
温度 (t
一个
) −40 +25 +85 ˚C
电的 特性
(注释 2, 3)
在 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 管脚 最小值 典型值 最大值 单位
V
TH
差别的 输入 门槛 V
输出
=V
OH
或者 V
OL
ri+,
RI−
−200
±
17.5 +200 mV
−7V
<
V
CM
<
+7V
V
HY
Hysteresis V
CM
= 1.5v 35 mV
V
IH
最小 高 水平的 输入
电压
EN
2.0 V
V
IL
最小 低 水平的 输入
电压
0.8 V
R
在
输入 阻抗 V
在
= −7v, +7V
ri+,
RI−
5.0 8.5 k
Ω
(其它 输入 = 地)
I
在
输入 电流
(其它 输入 = 0v,
电源 在 或者 V
CC
= 0v)
V
在
= +10V 0 1.1 1.8 毫安
V
在
= +3V 0 0.27 毫安
V
在
= 0.5v −0.02 毫安
V
在
= −3V 0 −0.43 毫安
V
在
= −10V 0 −1.26 −2.2 毫安
I
EN
V
在
=0VtoV
CC
EN
±
1µA
V
OH
高 水平的 输出 电压 I
OH
= −6 毫安, V
ID
= +1V
RO
2.4 3 V
I
OH
= −6 毫安, V
ID
= 打开
V
OH
高 水平的 输出 电压 I
OH
= −100 µa, V
ID
= +1V V
CC
− 0.1 V
I
OH
= −100 µa, V
ID
= 打开
V
OL
低 水平的 输出 电压 I
OL
= +6 毫安, V
ID
= −1V 0.13 0.5 V
I
OZ
输出 触发-状态
泄漏 电流
V
在
=V
CC
或者 地
±
50 µA
EN=V
IL
I
SC
输出 短的 电路 电流 V
O
= 0v, V
ID
≥
|200 mV| −10 −35 −70 毫安
(便条 4)
I
CC
电源 供应 电流 非 加载, 所有 ri+, RI− = 打开, V
CC
915mA
EN=V
CC
或者 地
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