绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +2.8v
供应 电压 (v
CC3V
) −0.3v 至 +3.6v
cmos/ttl 输入 电压 −0.3v 至 V
CC3V
cmos/ttl 输出
电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 驱动器 输出
电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 输出 短的
电路 持续时间 持续的
接合面 温度 +150˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4 秒.) +260˚C
典型 包装 电源 消耗 Capacity
@
70˚C
和 最大值 V
CC
128 CSP 包装:
DS90C2501 1.8w
最大 运行 情况 温度: 97˚C
(量过的 在 顶 中心 的 包装)
静电释放 比率:
DS90C2501
(hbm, 1.5k
Ω
, 100pf)
>
2kV
(eiaj, 0
Ω
, 200pf)
>
250 V
推荐 运行
情况
最小值 Nom 最大值 单位
所有 供应 电压 除了
(v
CC3V
)
2.250 2.5 2.750 V
V
CC3V
供应 电压 3.0 3.3 3.6 V
运行 自由 空气
温度 (t
一个
) 0 +25 +70 ˚C
供应 噪音 电压 (v
CC
)
向上 至 33Mhz
100 mV
p-p
直流 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
lvcmos/lvttl 直流 规格 (所有 输入 管脚 当 运作 在 LVTTL 水平的 除了 双 管脚. 便条: 在 id0, ID1
管脚 有 典型 30K ohm 内部的 拉-向下, 和 ID2 和 ID3 管脚 有 典型 3K ohm 内部的 拉-向下.)
V
IH
高 水平的 输入 电压 V
REF
=V
CC3V
2.0 V
CC3V
V
V
IL
低 水平的 输入 电压 V
REF
=V
CC3V
-0.3 0.8 V
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= 18 毫安 -0.9 -1.5 V
I
在
输入 电流 V
在
= 0.4v, 或者 V
CC
+1.8 +15 µA
V
在
= 地 −15 0 µA
lvcmos/lvttl 直流 规格 为 双 管脚, pin35
V
IH
双 高 水平的 输入 电压 (为
双 pixel 在 至 双 pixel
输出).
PD=V
CC3V
2.0 V
CC
V
V
IM
双 高 水平的 输入 电压 (为
单独的 pixel 在 至 双 pixel
输出).
PD=V
CC3V
1
⁄
2
V
CC
−0.1
1
⁄
2
V
CC
1
⁄
2
V
CC
+0.1 V
V
IL
双 高 水平的 输入 电压 (为
单独的 pixel 在 至 单独的 pixel
输出).
PD=V
CC3V
0 0.4 V
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= 18 毫安 -0.9 -1.5 V
I
在
输入 电流 V
在
= 0.4v, V
CC
1.8 15 µA
V
在
= 地 -15 0 µA
lvcmos/lvttl 直流 规格 为 msen, 管脚 98
V
OL
低 水平的 打开 流 输出
电压
I
OL
= 2 毫安 0.1 0.3 V
lvcmos/lvttl 直流 规格 (管脚 62 至 管脚 69 当 运作 在 3.3v LVTTL 水平的)
V
OH
高 水平的 输入 电压 I
OL
= 2 毫安 2.2 2.95 V
V
OL
低 水平的 输入 电压 0.055 0.4 V
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
= 0V -50 −120 毫安
DS90C2501
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