绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +6V
输入 电压 (d
在
) −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
使能 输入 电压 (en, en*) −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
输出 电压 (d
OUT+
,d
OUT−
) −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
短的 电路 持续时间
(d
OUT+
,d
OUT−
) 持续的
最大 包装 电源 消耗
@
+25˚C
M 包装 1068 mW
E 包装 1900 mW
减额 M 包装 8.5 mw/˚c 在之上 +25˚C
减额 E 包装 12.8 mw/˚c 在之上 +25˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 范围
焊接 (4 秒.) +260˚C
最大 接合面 温度
(ds90c031t) +150˚C
最大 接合面 温度
(ds90c031e) +175˚C
静电释放 比率 (便条 7)
(hbm, 1.5 k
Ω
, 100 pf)
≥
3,500v
(eiaj, 0
Ω
, 200 pf)
≥
250V
推荐 运行
情况
最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) +4.5 +5.0 +5.5 V
运行 自由 空气 温度 (t
一个
)
DS90C031T −40 +25 +85 ˚C
DS90C031E −55 +25 +125 ˚C
电的 特性
在 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定. (注释 2, 3)
标识 参数 情况 管脚 最小值 典型值 最大值 单位
V
OD1
差别的 输出 电压 R
L
= 100
Ω
(
图示 1
)d
OUT−
,
D
OUT+
250 345 450 mV
∆
V
OD1
改变 在 巨大 的 V
OD1
为 Complementary 输出
States
4 35 |mV|
V
OS
补偿 电压 1.125 1.25 1.375 V
∆
V
OS
改变 在 巨大 的 V
OS
为
Complementary 输出 States
5 25 |mV|
V
OH
输出 电压 高 R
L
= 100
Ω
1.41 1.60 V
V
OL
输出 电压 低 0.90 1.07 V
V
IH
输入 电压 高 D
在
,
en,
EN*
2.0 V
CC
V
V
IL
输入 电压 低 地 0.8 V
I
I
输入 电流 V
在
=V
CC
, 地, 2.5v 或者 0.4v −10
±
1 +10 µA
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= −18 毫安 −1.5 −0.8 V
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
= 0V (便条 8) D
OUT−
,
D
OUT+
−3.5 −5.0 毫安
I
OZ
输出 触发-状态 电流 EN = 0.8v 和 EN* = 2.0v,
V
输出
=0VorV
CC
−10
±
1 +10 µA
I
CC
非 加载 供应 电流
驱动器 使能
D
在
=V
CC
或者 地 DS90C031T V
CC
1.7 3.0 毫安
D
在
= 2.5v 或者 0.4v 4.0 6.5 毫安
I
CCL
承载 供应 电流
驱动器 使能
R
L
= 100
Ω
所有 途径
V
在
=V
CC
或者 地
(所有 输入)
DS90C031T 15.4 21.0 毫安
DS90C031E 15.4 25.0 毫安
I
CCZ
非 加载 供应 电流
驱动器 无能
D
在
=V
CC
或者 地
EN = 地, EN* = V
CC
DS90C031T 2.2 4.0 毫安
DS90C031E 2.2 10.0 毫安
切换 特性
V
CC
= +5.0v, T
一个
= +25˚C ds90c031t. (注释 3, 4, 6, 9)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
PHLD
差别的 传播 延迟 高 至 低 R
L
= 100
Ω
,c
L
=5pF
(
图示 2
和
图示 3
)
1.0 2.0 3.0 ns
t
PLHD
差别的 传播 延迟 低 至 高 1.0 2.1 3.0 ns
t
SKD
差别的 Skew |t
PHLD
–t
PLHD
| 0 80 400 ps
t
SK1
频道-至-频道 Skew (便条 4) 0 300 600 ps
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