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资料编号:268419
 
资料名称:DSEP29-06A
 
文件大小: 50.09K
   
说明
 
介绍:
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
 
 


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3 - 3
417
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度.
dsep 29-06b
图. 3 顶峰 反转 电流 i
RM
相比 -di
F
/dt
图. 2 反转 恢复 承担 q
r
相比 -di
F
/dt
图. 1 向前 电流 i
F
相比 v
F
图. 4 动态 参数 q
r
, i
RM
相比 t
VJ
图. 5 恢复 时间 t
rr
相比 -di
F
/dt 图. 6 顶峰 向前 电压 v
FR
fr
相比 di
F
/dt
图. 7 瞬时 热的 阻抗 接合面 至 情况
constants 为 z
thJC
计算:
iR
thi
(k/w) t
i
(s)
1 0.502 0.0052
2 0.193 0.0003
3 0.205 0.0162
便条: 图. 2 至 图. 6 显示 典型 值
200 600 10000 400 800
40
60
80
100
120
140
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
0.001
0.01
0.1
1
0 40 80 120 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
C
-di
F
/dt
t
s
k/w
0 200 400 600 800 1000
0
10
20
30
40
50
60
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
V
FR
di
F
/dt
V
200 600 10000 400 800
0
2
4
6
8
10
100 1000
0
50
100
150
200
250
300
350
01234
0
20
40
60
80
100
I
RM
Q
r
I
F
一个
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
一个/
µ
s
一个
V
nC
一个/
µ
s
一个/
µ
s
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
一个/
µ
s
µ
s
T
VJ
= 150°c
T
VJ
= 100°c
T
VJ
= 25°c
I
RM
Q
r
T
VJ
= 100°c
V
R
= 300 v
T
VJ
= 100°c
V
R
= 300 v
T
VJ
= 100°c
V
R
= 300 v
I
F
= 60 一个
I
F
= 30 一个
I
F
= 15 一个
I
F
= 60 一个
I
F
= 30 一个
I
F
= 15 一个
I
F
= 60 一个
I
F
= 30 一个
I
F
= 15 一个
T
VJ
= 100°c
I
F
= 30 一个
dsep 30-06b
t
fr
V
FR
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