Si4702DY
vishay siliconix
文档 号码: 71293
s-31874—rev.e, 15-sep-03
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1
加载 转变 和 水平的-变换
产品SUMMARY
V
DS2
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
30
0.024 @ v
GS2
= 10 v 5.5
30
0.035 @ v
GS2
= 4.5 v 4.5
S
2
V
在
V
开关
S
1
1
5, 6, 7
8
2
Q1
Q2
3, 4
所以-8
S
1
V
HV
V
开关
V
在
S
2
V
在
S
2
V
在
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
V
HV
订货 信息: Si4702DY
si4702dy-t1 (和 tape 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 限制 单位
输入 电压 V
在
30
q2 门-驱动 voltage 关联 至 s1 或者 s2 V
HV
20
V
开关 电压 V
开关
8
加载 电流
持续的
一个
I
L
5.5
加载 电流
搏动
b
I
L
20
一个
持续的 intrinsic 二极管 传导
一个
I
S
-1.15
最大 电源 消耗
一个
P
D
1.25 W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
静电释放 比率, mil-标准-883d 人 身体 模型 (100 pf, 1500
) 静电释放 3 kV
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面-至-包围的 (t = 稳步的 状态)
一个
R
thJA
83
100
c/w
最大 接合面-至-foot (q2) R
thJC
25 30
c/w
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
反转 泄漏 电流 I
FL
V
在
= 30 v, v
开关
= 0 v, v
HV
= 0 v 1
一个
二极管 向前 电压 V
SD
I
S
=-1.15 一个 0.7 1 V
在 特性
在 阻抗 (q2) r
ds( )
V
开关
= 0 v, i
D
= 5.5 一个, v
HV
= 10 v, v
S2
= 0 v
0.019 0.024
在-阻抗 (q2) r
ds(在)
V
开关
= 0 v, i
D
= 4.5 一个, v
HV
= 4.5 v, v
S2
= 0 v
0.028 0.035
在-状态 (q2) 流-电流 I
d(在)
V
在
- v
输出
0.1 v, v
在
= 5 v, v
开关
= 0 v v
HV
= 10 v 15 一个
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
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