Si4463BDY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 72789
s-40433—rev. 一个,15-三月-04
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
一个
−
0.6
−
1.4 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
12
V
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
20 v, v
GS
= 0 v
−
1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C
−
10
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
=
−
5 v, v
GS
=
−
4.5 v
−
30 一个
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
13.7 一个 0.0085 0.011
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
12.3 一个 0.010 0.014
ds(在)
V
GS
=
−
2.5 v, i
D
=
−
5 一个 0.015 0.020
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
−
10
v,I
D
=
−
13.7 一个
44 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
−
2.7 一个, v
GS
= 0 v
−
0.7
−
1.1 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
37 56
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
−
10 v,
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
13.7 一个 8.7 nC
门-流 承担 Q
gd
11
门 阻抗 R
g
f = 1 mhz 2.7
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
35 55
上升 时间 t
r
V
DD
=
−
10 v, r
L
= 10
60 90
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=
−
10 v,R
L
= 10
I
D
−
1 一个, v
GEN
=
−
4.5 v, r
g
= 6
115 170
ns
下降 时间 t
f
75 115
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=
−
2.3 一个, di/dt = 100 一个/
s 50 75
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0
10
20
30
40
50
012345
V
GS
= 10 thru 2.5 v
T
C
= 125
C
−
55
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
2 v
1.5 v
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