Si4750DY
vishay siliconix
新 产品
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6
文档号码: 72219
s-32411—rev. b, 24-十一月-03
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
−
50
−
25 0 25 50 75 100
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
−
50
−
25 0 25 50 75 100
典型 回转 比率 在
回转 比率 在 (v/
s)
T
一个
(
c)
I
L
= 2 一个
C
L
= 10
F
14.5 v
9 v
温度 (
c)
回转 比率 止 (v/
s)
I
L
= 2 一个
C
L
= 10
F
14.5 v
9 v
典型 回转 比率 止
建制
输出
图示 1. 图示 2.
inductive 和 超（电）压 输出 clamp
图示 3.
输入 电路 (静电释放 保护)
Si4750DY
R
地
I
地
I
L
I
在
I
bb
V
在
V
在
V
输出
V
bb
V
bb
OUTIN
V
在
+V
bb
地
地
输出
V
在
clamped 至 45v 典型
地
静电释放-zd
L
I
L
在
图示 4.
反转 pattery 保护
−
V
bb
地
R
L
在
R
地
信号地面
电源 地面
逻辑
R
地
= 150
, r
L
= 3.5 k
典型
温度 保护 是 不 起作用的
在 inverse 电流.
40 v
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