®
AS4C256K16E0
4/11/01; v.1.1
alliance 半导体
4 的 24
交流 参数 一般 至 所有 波形
shaded areas 包含 进步 信息.
读 循环
shaded areas 包含 进步 信息.
标准
标识 参数
-30 -35 -50
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
RC
随机的 读 或者 写 循环 时间 65 –70–85–ns
t
RP
RAS
precharge 时间 25 –25–25–ns
t
RAS
RAS
脉冲波 宽度 30 75K 35 75K 50 75K ns
t
CAS
CAS
脉冲波 宽度 5 –6–10–ns
t
RCD
RAS
至
CAS
延迟 时间 15 20 16 24 15 35 ns 6
t
RAD
RAS
至 column 地址 延迟 时间 10 14 11 17 15 25 ns 7
t
rsh(r)
CAS
至
RAS
支撑 时间 (读 循环) 10 –10–10–ns
t
CSH
RAS
至
CAS
支撑 时间 30 –35–50–ns
t
CRP
CAS
至
RAS
precharge 时间 5 –5–5–ns
t
ASR
行 地址 建制 时间 0 –0–0–ns
t
RAH
行 地址 支撑 时间 5 –6–9–ns
t
T
转变 时间 (上升 和 下降) 1.5 50 1.5 50 3 50 ns 4,5
t
REF
refresh 时期 – 8–8–8ms3
t
CLZ
CAS
至 输出 在 低 z 0 –0–3–ns8
标准
标识 参数
-30 -35 -50
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
RAC
进入 时间 从
RAS
– 30 – 35 – 50 ns 6
t
CAC
进入 时间 从
CAS
– 10 – 10 – 10 ns 6,13
t
AA
进入 时间 从 地址 – 16 – 18 – 25 ns 7,13
t
ar(r)
column 增加 支撑 从
RAS
26 –28–30–ns
t
RCS
读 command 建制 时间 0 –0–0–ns
t
RCH
读 command 支撑 时间 至
CAS
0 –0–0–ns9
tRRH
读 command 支撑 时间 至
RAS
0 –0–0–ns9
t
RAL
column 地址 至
RAS
含铅的 时间 16 –18–25–ns
t
CPN
CAS
precharge 时间 3 –4–5–ns
t
止
输出 缓存区 转变-止 时间 0 80808ns8,10
: 点此下载
