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资料编号:276017
 
资料名称:BUK9E06-55A
 
文件大小: 138.58K
   
说明
 
介绍:
TrenchMOS logic level FET
 
 


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飞利浦 半导体
buk9506-55a; buk9606-55a;
buk9e06-55a
产品 数据 rev. 03 — 23 july 2001 2 的 16
9397 750 08416
© 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有 权利 保留.
5. 快 涉及 数据
6. 限制的 值
[1] 电流 是 限制 用 电源 消耗 碎片 比率
[2] 持续的 电流 是 限制 用 包装
表格 2: 快 涉及 数据
标识 参数 情况 Typ 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流)
55 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=5V
[1]
154 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
C
300 W
T
j
接合面 温度
175
°
C
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 T
j
=25
°
c; V
GS
=5v; i
D
= 25 一个 5.3 6.3
m
T
j
=25
°
c; V
GS
= 4.5 v; i
D
= 25 一个 5.5 6.7
m
T
j
=25
°
c; V
GS
= 10 v; i
D
= 25 一个 4.8 5.8
m
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流)
55 V
V
DGR
流-门 电压 (直流) R
GS
=20k
Ω−
55 V
V
GS
门-源 电压 (直流)
−±
15 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=5v;
图示 2 3
[1]
154 一个
[2]
75 一个
T
mb
= 100
°
c; v
GS
=5v;图示 2
[2]
75 一个
I
DM
顶峰 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
10
µ
s;
图示 3
616 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
c; 图示 1
300 W
T
stg
存储 温度
55 +175
°
C
T
j
运行 接合面 温度
55 +175
°
C
源-流 二极管
I
DR
反转 流 电流 (直流) T
mb
=25
°
C
[1]
154 一个
[2]
75 一个
I
DRM
搏动 反转 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
10
µ
s
616 一个
avalanche 强壮
W
DSS
非-repetitive avalanche 活力 unclamped inductive 加载; i
D
=75a;
V
DS
55 v; v
GS
=5v; r
GS
=50
;
开始 t
mb
=25
°
C
1.1 J
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