sep.1998
mitsubishi igbt modules
cm150e3u-24h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
绝对 最大 比率, t
j
= 25
°
c 除非 否则 指定
比率 标识 cm150e3u-24h 单位
接合面 温度 T
j
-40 至 150
°
C
存储 温度 T
stg
-40 至 125
°
C
集电级-发射级 电压 (g-e 短的) V
CES
1200 伏特
门-发射级 电压 (c-e 短的) V
GES
±
20 伏特
集电级 电流 (t
c
= 25
°
c) I
C
150 Amperes
顶峰 集电级 电流 (t
j
≤
150
°
c) I
CM
300* Amperes
发射级 current** (t
c
= 25
°
c) I
E
150 Amperes
顶峰 发射级 current** I
EM
300* Amperes
最大 集电级 消耗 (t
c
= 25
°
c, t
j
≤
150
°
c) P
c
890 Watts
挂载 torque, m6 主要的 终端 – 3.5 ~ 4.5 n · m
挂载 torque, m6 挂载 – 3.5 ~ 4.5 n · m
重量 – 400 Grams
分开 电压 (主要的 终端 至 baseplate, 交流 1 最小值.) V
iso
2500 电压有效值
* 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 那 这 设备 接合面 温度 (t
j
) 做 不 超过 t
j(最大值)
比率.
**represents 特性 的 这 反对-并行的, 发射级-至-集电级 自由-轮子 二极管 (fwdi).
静态的 电的 特性, t
j
= 25
°
c 除非 否则 指定
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-截止 电流 I
CES
V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v – – 1 毫安
门 泄漏 电压 I
GES
V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v – – 0.5
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 15ma, v
CE
= 10v 4.5 6 7.5 伏特
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 150a, v
GE
= 15v, t
j
= 25
°
C – 2.9 3.7 伏特
I
C
= 150a, v
GE
= 15v, t
j
= 125
°
C – 2.85 – 伏特
总的 门 承担 Q
G
V
CC
= 600v, i
C
= 150a, v
GE
= 15v – 560 – nC
发射级-集电级 voltage** V
EC
I
E
= 150a, v
GE
= 0v – – 3.2 伏特
发射级-集电级 电压 V
FM
I
F
= 150a, clamp 二极管 部分 – – 3.2 伏特
* 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 那 这 设备 接合面 温度 (t
j
) 做 不 超过 t
j(最大值)
比率.
动态 电的 特性, t
j
= 25
°
c 除非 否则 指定
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入 电容 C
ies
––22nF
输出 电容 C
oes
V
CE
= 10v, v
GE
= 0v – – 7.4 nF
反转 转移 电容 C
res
– – 4.4 nF
Resistive 转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
CC
= 600v, i
C
= 150a, – – 200 ns
加载 上升 时间 t
r
V
GE1
= v
GE2
= 15v, – – 250 ns
转变 转变-止 延迟 时间 t
d(止)
R
G
= 2.1
Ω
, resistive – – 300 ns
时间 下降 时间 t
f
加载 切换 运作 – – 350 ns
二极管 反转 恢复 time** t
rr
I
E
= 150a, di
E
/dt = -300a/
µ
s – – 300 ns
二极管 反转 恢复 charge** Q
rr
I
E
= 150a, di
E
/dt = -300a/
µ
s – 0.82 –
µ
C
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 150a, clamp 二极管 部分 – – 300 ns
二极管 反转 恢复 承担 Q
rr
di
F
/dt = -300a/
µ
s – 0.82 –
µ
C
**represents 特性 的 这 反对-并行的, 发射级-至-集电级 自由-轮子 二极管 (fwdi).
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