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飞利浦 半导体 产品 规格
ne/sa568a150mhz 阶段-锁 循环
1996 二月 1
4
C
9

1
2

(50) (f
O
)
F
在 70mhz, 这 计算 值 是 45pf.  empirical 结果 和 这
测试 和 应用 板 是 改进 当 一个 47pf 电容
是 使用.
这 自然的 频率 为 这 循环 过滤 是 设置 用 c
10
和 r
1
.  如果 这
中心 频率 的 这 循环 是 70mhz 和 这 全部 demodulated
带宽 是 desired, i.e., f
BW
= f
O
/7 = 10mhz, 和 一个 值 为 r
1
是
选择, 这 值 的 c
10
能 是 计算.
C
10

1
2

R
1
f
BW
F
也,
C
11

1
2

350

f
bw(hz)
这个 电容 确定 这 信号 带宽 的 这 输出
缓存区 放大器.  (为 更远 inofrmation 看 飞利浦 应用 便条
an1881 “the ne568a 阶段 锁 循环 作 一个 wideband video
demodulator”.
部分 列表 和 布局 40mhz 应用 ne568ad
C
1
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 1206
C
2
1
18pF
±
2% 陶瓷的 碎片 0805
C
2
2
16pF
±
2% 陶瓷的 orchip
C
3
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 1206
C
4
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 1206
C
5
6.8
µ
F
±
10% Tantalum 35V
C
6
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 1206
C
7
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 1206
C
8
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 1206
C
9
47pF
±
2% 陶瓷的 碎片 0805 或者 1206
C
10
560pF
±
2% 陶瓷的 碎片 0805 或者 1206
C
11
47pF
±
2% 陶瓷的 碎片 0805 或者 1206
C
12
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 1206
C
13
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 1206
R
1
27
Ω
±
10% 碎片 cr32 1/4w
R
2
1.2k
Ω
修整 pot
R
3
3
43
Ω
±
10% 碎片 cr32 1/4w
R
4
4
3.9k
Ω
±
10% 碎片 cr32 1/4w
R
5
3
50
Ω
±
10% 碎片 cr32 1/4w
RFC
1
5
10
µ
H
±
10% 表面 挂载
RFC
2
5
10
µ
H
±
10% 表面 挂载
注释:
1. 18pf 和 管脚 12 地面 和 管脚 13 非 连接 (打开).
2. C
2
+ c
偏离
= 16pf 为 温度-补偿 配置
和 r
4
= 3.9k
Ω
.
3. 为 50
Ω
建制.  r
1
= 62
Ω
, r
3
= 75
Ω
为 75
Ω
应用.
4. 为 测试 配置 r
4
= 0
Ω
(地) 和 c
2
= 18pf.
5. 0
Ω
碎片 电阻器 (跳越者) 将 是 substituted 和 minor degra-
dation 的 效能.
部分 列表 和 布局 70mhz 应用 ne568an
C
1
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 50V
C
2
1
18pF
±
2% 陶瓷的 碎片 50V
C
2
2
16pF
±
2% 陶瓷的 碎片 0805
C
3
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 50V
C
4
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 50V
C
5
6.8
µ
F
±
10% Tantalum 35V
C
6
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 50V
C
7
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 50V
C
8
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 50V
C
9
47pF
±
2% 陶瓷的 碎片 50V
C
10
560pF
±
2% 陶瓷的 碎片 50V
C
11
47pF
±
2% 陶瓷的 碎片 50V
C
12
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 50V
C
13
100nF
±
10% 陶瓷的 碎片 50V
R
1
27
Ω
±
10% 陶瓷的碎片
CR32
1/4w
R
2
1.2k
Ω
修整 pot
R
3
3
43
Ω
±
10% 陶瓷的碎片
CR32
1/4w
R
4
4
3.9k
Ω
±
10% 陶瓷的 碎片
CR32
1/4w
R
5
3
50
Ω
±
10% 陶瓷的 碎片
CR32
1/4w
RFC
1
10
µ
H
±
10% 表面 挂载
RFC
2
10
µ
H
±
10% 表面 挂载
注释:
1. 18pf 和 管脚 12 地面 和 管脚 13 非 连接 (打开).
2. C
2
+ c
偏离
= 16pf 为 温度-补偿 配置
和 r
4
= 3.9k
Ω
.
3. 为 50
Ω
建制.  r
1
= 62
Ω
, r
3
= 75
Ω
为 75
Ω
应用.
4. 为 测试 配置 r
4
= 0
Ω
(地) 和 c
2
= 18pf.

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飞利浦半导体产品规格 ne/sa568a150mhz 阶段-锁循环 1996 二月 1 4 C 9  1 2  (50) (f O ) F 在 70mhz, 这计算值是 45pf. empirical 结果和这测试和应用板是改进当一个 47pf 电容是使用. 这自然的频率为这循环过滤是设置用 c 10 和 r 1 . 如果这中心频率的这循环是 70mhz 和这全部 demodulated 带宽是 desired, i.e., f BW = f O /7 = 10mhz, 和一个值为 r 1 是选择, 这值的 c 10 能是计算. C 10  1 2  R 1 f BW F 也, C 11  1 2  350  f bw(hz) 这个电容确定这信号带宽的这输出缓存区放大器. (为更远 inofrmation 看飞利浦应用便条 an1881 “the ne568a 阶段锁循环作一个 wideband video demodulator”. 部分列表和布局 40mhz 应用 ne568ad C 1 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 1206 C 2 1 18pF ± 2% 陶瓷的碎片 0805 C 2 2 16pF ± 2% 陶瓷的 orchip C 3 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 1206 C 4 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 1206 C 5 6.8 µ F ± 10% Tantalum 35V C 6 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 1206 C 7 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 1206 C 8 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 1206 C 9 47pF ± 2% 陶瓷的碎片 0805 或者 1206 C 10 560pF ± 2% 陶瓷的碎片 0805 或者 1206 C 11 47pF ± 2% 陶瓷的碎片 0805 或者 1206 C 12 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 1206 C 13 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 1206 R 1 27 Ω ± 10% 碎片 cr32 1/4w R 2 1.2k Ω 修整 pot R 3 3 43 Ω ± 10% 碎片 cr32 1/4w R 4 4 3.9k Ω ± 10% 碎片 cr32 1/4w R 5 3 50 Ω ± 10% 碎片 cr32 1/4w RFC 1 5 10 µ H ± 10% 表面挂载 RFC 2 5 10 µ H ± 10% 表面挂载注释: 1. 18pf 和管脚 12 地面和管脚 13 非连接 (打开). 2. C 2 + c 偏离 = 16pf 为温度-补偿配置和 r 4 = 3.9k Ω . 3. 为 50 Ω 建制. r 1 = 62 Ω , r 3 = 75 Ω 为 75 Ω 应用. 4. 为测试配置 r 4 = 0 Ω (地) 和 c 2 = 18pf. 5. 0 Ω 碎片电阻器 (跳越者) 将是 substituted 和 minor degra- dation 的效能. 部分列表和布局 70mhz 应用 ne568an C 1 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 50V C 2 1 18pF ± 2% 陶瓷的碎片 50V C 2 2 16pF ± 2% 陶瓷的碎片 0805 C 3 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 50V C 4 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 50V C 5 6.8 µ F ± 10% Tantalum 35V C 6 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 50V C 7 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 50V C 8 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 50V C 9 47pF ± 2% 陶瓷的碎片 50V C 10 560pF ± 2% 陶瓷的碎片 50V C 11 47pF ± 2% 陶瓷的碎片 50V C 12 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 50V C 13 100nF ± 10% 陶瓷的碎片 50V R 1 27 Ω ± 10% 陶瓷的碎片 CR32 1/4w R 2 1.2k Ω 修整 pot R 3 3 43 Ω ± 10% 陶瓷的碎片 CR32 1/4w R 4 4 3.9k Ω ± 10% 陶瓷的碎片 CR32 1/4w R 5 3 50 Ω ± 10% 陶瓷的碎片 CR32 1/4w RFC 1 10 µ H ± 10% 表面挂载 RFC 2 10 µ H ± 10% 表面挂载注释: 1. 18pf 和管脚 12 地面和管脚 13 非连接 (打开). 2. C 2 + c 偏离 = 16pf 为温度-补偿配置和 r 4 = 3.9k Ω . 3. 为 50 Ω 建制. r 1 = 62 Ω , r 3 = 75 Ω 为 75 Ω 应用. 4. 为测试配置 r 4 = 0 Ω (地) 和 c 2 = 18pf.

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