飞利浦 半导体 产品 数据
NE57607
二-cell lithium-ion 电池 保护 和
overcurrent, 在- 和 下面-电压 保护
2001 oct 03
8
这 r-c 过滤 周围 这 ne57607
一个 needs 至 放置 r-c 过滤 在 这 积极的 输入 管脚 的 这
ne57607. 这些 是 primarily 至 shield 这 ic 从 静电的
occurrences 和 尖刺 在 这 terminals 的 这 电池 包装. 一个
secondary 需要 是 在 这 occurrence 的 一个 短的-电路 横过
这 电池 包装 terminals. here, 这 li-ion cell 电压 可以
collapse 和 导致 这 ic 至 enter 一个 unpowered 状态. 这 r-cs
然后 提供 电源 在 这 第一 instance 的 这 短的 电路 和
准许 这 ic 至 转变 止 这 释放 场效应晶体管. 这 ic 能 然后
enter 一个 unpowered 状态. lastly, 这 r-c 过滤 在 这 node 在
这 二 cells 过滤 任何 噪音 电压 造成 用 嘈杂的 加载 电流.
这 值 显示 在 图示 6 是 好的 为 这些 目的.
selecting 这 最佳的 mosfets:
为 一个 2-cell 电池 包装, 一个 逻辑-水平的 场效应晶体管 应当 是 使用.
这些 mosfets 有 转变-在 门槛 的 0.9 v 和 是
考虑 全部-在 在 4.5 v vgs. 这 总的 包装 电压 将 是 一个
最大 的 8.6 v 这个 是 在里面 safe 运行 范围 的 这 门
电压 这个 是 典型地 更多 比 二 时间 这 全部-在 电压.
这 mosfets 应当 有 一个 电压 比率 更好 比 20 v 和
应当 有 一个 高 avalanche 比率 至 survive 任何 尖刺
发生 横过 这 电池 包装 terminals.
这 电流 比率 的 这 mosfets 应当 是 更好 比 四
时间 这 最大 “c-rating” 的 这 cells. 这 电流 比率,
though, 是 更多 定义 用 这 总的 序列 阻抗 的 这 电池
包装. 这 总的 阻抗 的 这 电池 包装 是 给 用 等式 1.
R
bat(tot)
= 2(r
ds(在)
) + 2r
cell
(等式 1)
这 总的 包装 阻抗 是 典型地 决定 用 这 系统
(所需的)东西. 这 总的 包装 阻抗 直接地 确定 如何
更 电压 droop 将 出现 在 脉冲 在 加载 电流.
另一 仔细考虑 是 这 向前-片面的 safe 运行 范围 的
这 场效应晶体管. 在 一个 短的-电路, 这 释放 电流 能 容易地
reach 10–15 时间 这 “c-rating” 的 这 cells. 这 场效应晶体管 必须
survive 这个 电流 较早的 至 这 释放 场效应晶体管 能 是 转变
止. 所以 having 一个 fbsoa 封套 那 超过 20 amperes 为
5 ms 将 是 safe.
这 承担 场效应晶体管 电路.
这 ne57607 使用 一个 分开的 承担 场效应晶体管 驱动 arrangement.
这个 是 至 帮助 保持 静电释放 charges 从 进去 这 ic. 这 承担
场效应晶体管 是 正常情况下 在 直到 转变 止 用 这 ic. 这 cf 管脚 使用
一个 电流 源 至 驱动 一个 外部 npn 晶体管 至 转变 止 这
承担 场效应晶体管. 如果 一个 承担 有 poor “compliance” 或者 这 非 加载 电压
的 这 承担 能 上升 significantly 在之上 这 比率 的 这 电池
包装. 这个 情况 导致 这 源 的 这 承担 场效应晶体管 至 go 非常
负的 对照的 至 这 cell 地 电压 之后 这 承担 场效应晶体管
opens. 这个 设计 准许 这 承担 场效应晶体管 门 驱动 至 “float” 向下
至 这个 非常 负的 电压 没有 upsetting 这 运作 的 这 ic.
包装 方法
SL01305
录音带 detail
覆盖 录音带
运输车 录音带
卷轴
组装
录音带
守卫
带宽
BARCODE
LABEL
盒
图示 7. 录音带 和 卷轴 包装 方法.
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