0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
10
20
30
40
50
60
反转 片面的 safe 运行 范围
+V
GE
=15v, -v
GE
<15v, t
j
<125°c, r
G
>8.2
Ω
集电级 电流 : i
C
[A]
集电级-发射级 电压 : v
CE
[V]
5 10 15 20 25
0
50
100
150
200
250
300
短的 电路 电流 : i
SC
[A]
t
SC
门 电压 : v
GE
[V]
0
20
40
60
短的 电路 时间 : t
SC
[µs]
典型 短的 电路 能力
V
CC
=800v, r
G
=8.2
Ω
, t
j
=125°C
I
SC
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
10
20
30
40
50
60
25°CT
j
=125°C
向前 电压 vs. 向前 电流
向前 电流 : i
F
[A]
向前 电压 : v
F
[V]
0
200
400
600
800
1000
t
rr
反转 恢复 时间 : t
rr
[nsec]
-di
/
dt
[a/µsec]
0 50 100 150 200 250 300
0
5
10
15
20
25
反转 恢复 电流 : i
rr
[A]
I
rr
反转 恢复 特性 vs.
-di
/
dt
V
R
=200v, i
F
=25a, t
j
=125°C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
IGBT
FWD
瞬时 热的 阻抗
热的 阻抗 : rth(j-c) [°c/w]
脉冲波 宽度 : p
W
[sec]
: 点此下载
