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资料编号:284089
 
资料名称:AME8801HEEV
 
文件大小: 114.81K
   
说明
 
介绍:
300mA CMOS LDO
 
 


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相似物 微电子学, 公司
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ame8801/8812/8840
300ma cmos ldo
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0 50 100 150 200
等效串联电阻 (
ΩΩ
)
稳固的 区域
untested 区域
unstable 区域
iload (毫安)
C
L
=1
µ
F
稳固 vs. 等效串联电阻 vs i
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iload (毫安)
稳固的 区域
untested 区域
unstable 区域
等效串联电阻 (
ΩΩ
)
C
L
=2
µ
F
稳固 vs. 等效串联电阻 vs i
加载
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0 50 100 150 200
稳固的 区域
untested 区域
unstable 区域
iload (毫安)
等效串联电阻 (
ΩΩ
)
C
L
=3
µ
F
稳固 vs. 等效串联电阻 vs i
加载
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0.1
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100
1000
10000
0 50 100 150 200
稳固的 区域
untested 区域
unstable 区域
iload (毫安)
等效串联电阻 (
ΩΩ
)
C
L
=10
µ
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稳固 vs. 等效串联电阻 vs i
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