首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:287199
 
资料名称:EBE11UD8AESA
 
文件大小: 214.62K
   
说明
 
介绍:
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)
 
 


: 点此下载
  浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第12页
12

13
浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第14页
14
浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第15页
15
浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号EBE11UD8AESA的Datasheet PDF文件第17页
17
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
EBE11UD8AESA
数据 薄板 e0589e30 (ver. 3.0)
13
odt 直流 电的 特性 (tc = 0°c 至 +85
°
c, vdd, vddq = 1.8v
±
0.1v)
(ddr2 sdram 组件 规格)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 便条
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs (a6, a2)
=
0, 1
;
75
rtt1(eff) 60 75 90
1
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs (a6, a2)
=
1, 0
;
150
rtt2(eff) 120 150 180
1
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs (a6, a2)
=
1, 1
;
50
rtt3(eff) 40 50 60
1
背离 的 vm 和 遵守 至 vddq/2
VM
6
 +
6
%
1
便条: 1. 测试 情况 为 rtt 度量.
度量 定义 为 rtt(eff)
应用 vih (交流) 和 vil (交流) 至 测试 管脚 separately, then measure 电流 i(vih(交流)) 和 i(vil(交流)) 各自.
vih(交流), 和 vddq 值 定义 在 sstl
_
18.
vih(交流)
vil(交流)
i(vih(交流))
i(vil(交流))
rtt(eff) =
度量 定义 为 vm
measure 电压 (vm) 在 测试管脚 (中点) 和 非 加载.
2
×
VM
VDDQ
vm =
×
100%
1
ocd default 特性 (tc = 0°c 至 +85
°
c, vdd, vddq = 1.8v
±
0.1v)
(ddr2 sdram 组件 规格)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 注释
输出 阻抗 12.6 18 23.4
1
拉-向上 和 拉-向下 mismatch 0
4
1, 2
输出 回转 比率 1.5
5 v/ns 3, 4
注释: 1. 阻抗 度量 情况 为 输出源 直流 电流: vddq = 1.7v; vout = 1420mv;
(vout
vddq)/ioh 必须 是 较少 比 23.4
为 值 的 vout 在 vddq 和 vddq
280mv.
阻抗 度量 情况 为 输出 sink 直流 电流: vddq = 1.7v; vout = 280mv;
vout/iol 必须 是 较少 比 23.4
为 值 的 vout 在 0v 和 280mv.
2. mismatch 是 绝对 值 在 拉 向上 和拉 向下, 两个都 是 量过的 在 一样 温度 和
电压.
3. 回转 比率 量过的 从 vil(交流) 至 vih(交流).
4. 这 绝对 值 的 这 回转 比率 作 量过的 从 直流 至 直流 是 equal 至 或者 更好 比 这 回转 比率
作 量过的 从 交流 至 交流. 这个 是 有保证的 用 设计 和 描绘.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com