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资料编号:287199
 
资料名称:EBE11UD8AESA
 
文件大小: 214.62K
   
说明
 
介绍:
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
EBE11UD8AESA
数据 薄板 e0589e30 (ver. 3.0)
9
电的 规格
所有 电压 是 关联 至 vss (地).
绝对 最大 比率
参数 标识 值 单位 便条
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vss VT –0.5 至 +2.3 V 1
供应 电压 相关的 至 vss VDD –0.5 至 +2.3 V
短的 电路 输出 电流 IOS 50 毫安 1
电源 消耗 PD 8 W
运行 情况 温度 TC 0 至 +95 °C 1, 2
存储 温度 Tstg –55 至 +100 °C 1
便条: 1. ddr2 sdram 组件 规格.
2. 支承的 0
°
c 至 +85°c 和 正在 能 至 扩展 至 +95°c 和 doubling 自动-refresh commands 在
频率 至 一个 32ms 时期 (trefi = 3.9
µ
s) 和 高等级的 温度 自-refresh entry 通过 这 控制 的
emrs (2) 位 a7 是 必需的.
提醒 exposing 这 设备 至 压力 在之上 那些 列表 在 绝对 最大 比率 可以 导致
永久的 损坏. 这 设备 是 不 meant 至 是 运作 下面 情况 外部 这 限制
描述 在 这 运算的 部分 的 这个 specification 暴露 至 绝对 最大 比率
情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
直流 运行 情况 (tc = 0°c 至 +85°c) (ddr2 sdram 组件 规格)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
供应 电压 vdd, vddq 1.7 1.8 1.9 V 4
vss 0 0 0 v
vddspd 1.7 — 3.6 v
输入 涉及 电压 VREF 0.49
×
VDDQ 0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ V 1, 2
末端 电压 VTT VREF
0.04 VREF vref + 0.04 V 3
直流 输入 逻辑 高 vih (直流) vref + 0.125
vddq + 0.3v V
直流 输入 低 vil (直流)
0.3
vref – 0.125 V
交流 输入 逻辑 高
-6e
vih (交流) vref + 0.200
V
-5c, -4a vih (交流) vref + 0.250
V
交流 输入 低
-6e
vil (交流)
VREF
0.200 V
-5c, -4a vil (交流)
VREF
0.250 V
注释: 1. 这 值 的 vref 将 是 选择 用 这 用户至 提供 最佳的 噪音 余裕 在 这 系统. 典型地
这 值 的 vref 是 预期的 至 是 关于 0.5
×
vddq 的 这 transmitting 设备 和 vref 是 预期的
至 追踪 变化 在 vddq.
2. 顶峰 至 顶峰 交流 噪音 在 vref 将 不 超过
±
2% vref (直流).
3. vtt 的 transmitting 设备 必须 追踪 vref 的 接到 设备.
4. vddq 必须 是 equal 至 vdd.
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