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资料编号:289586
 
资料名称:EDE1104AASE
 
文件大小: 697.83K
   
说明
 
介绍:
1G bits DDR2 SDRAM organized as 33,554,432 words x 8 banks.
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ede1104aase, ede1108aase
数据 薄板 e0404e20 (ver. 2.0)
10
odt 直流 电的 特性 (tc = 0
°
c 至 +85
°
c, vdd, vddq = 1.8v
±
0.1v)
参数Symbol 最小值 typ 最大值 单位 便条
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs (a6, a2)
=
0, 1
;
75
rtt1 (eff) 60 75 90
1
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs (a6, a2)
=
1, 0
;
150
rtt2 (eff) 120 150 180
1
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs (a6, a2)
=
1, 1
;
50
rtt3 (eff) 40
50
60
1
背离 的 vm 和 遵守 至 vddq/2
VM
6
 +
6
%
1
便条: 1. 测试 情况 为 rtt 度量.
度量 定义 为 rtt (eff)
应用 vih (交流) 和 vil (交流) 至 测试 管脚 separately, then measure 电流 i(vih(交流)) 和 i(vil(交流)) 各自.
vih(交流), 和 vddq 值 定义 在 sstl
_
18.
vih(交流)
vil(交流)
i(vih(交流))
i(vil(交流))
rtt(eff) =
度量 定义 为
VM
measure 电压 (vm) 在 测试管脚 (中点) 和 非 加载.
2
×
VM
VDDQ
vm =
×
100%
1
ocd default 特性 (tc = 0
°
c 至 +85
°
c, vdd, vddq = 1.8v
±
0.1v)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 注释
输出 阻抗 12.6 18 23.4
1
拉-向上 和 拉-向下 mismatch 0
4
1, 2
输出 回转 比率 1.5
5 v/ns 3, 4
注释: 1. 阻抗 度量 情况 为 输出源 直流 电流: vddq = 1.7v; vout = 1420mv;
(vout
vddq)/ioh 必须 是 较少 比 23.4
为 值 的 vout 在 vddq 和 vddq
280mv.
阻抗 度量 情况为 输出 下沉 直流 电流: vddq = 1.7v; vout = 280mv;
vout/iol 必须 是 较少 比 23.4
为 值 的 vout 在 0v 和 280mv.
2. mismatch 是 绝对 值 在 拉 向上 和拉 向下, 两个都 是 量过的在 一样 温度 和
电压.
3. 回转 比率 量过的 从 vil(交流) 至 vih(交流).
4. 这 绝对 值 的 这 回转 比率 作 量过的 from 直流 至 直流 是 equal 至 或者 更好 比 这 回转 比率
作 量过的 从 交流 至 交流. 这个 是 有保证的 用 设计 和 描绘.
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