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资料编号:289586
 
资料名称:EDE1104AASE
 
文件大小: 697.83K
   
说明
 
介绍:
1G bits DDR2 SDRAM organized as 33,554,432 words x 8 banks.
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ede1104aase, ede1108aase
数据 薄板 e0404e20 (ver. 2.0)
3
管脚 配置
/xxx indicates 起作用的 低 信号.
VDD
1
DQ6
(nc)*
VDDQ
DQ4
(nc)*
VDDL
VSS
VDD
2
nu/ /rdqs
(nc)*
VSSQ
DQ1
VSSQ
VREF
CKE
BA0
A10
A3
A7
A12
3
VSS
dm/rdqs
(dm)*
VDDQ
DQ3
VSS
/我们
BA1
A1
A5
A9
NC
7
VSSQ
DQS
VDDQ
DQ2
VSSDL
/ras
/cas
A2
A6
A11
NC
8
/dqs
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
/ck
/cs
A0
A4
A8
A13
9
VDDQ
DQ7
(nc)*
VDDQ
DQ5
(nc)*
VDD
VDD
VSS
(顶 视图)
68-球 fbga (
µ
bga)
便条: ( )* marked 管脚 是 为
×
4 organization.
BA2
ODT
(
×
8,
×
4 organization)
NC
NC
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
W
NC
NC
NC
nc nc nc
管脚 名字 函数 管脚 名字 函数
a0 至 a13 地址 输入 ODT odt 控制
ba0, ba1, ba2 bank 选择 VDD 供应 电压 为 内部的 电路
dq0 至 dq7 数据 输入/输出 VSS 地面 为 内部的 电路
dqs, /dqs 差别的 数据 strobe VDDQ 供应 电压 为 dq 电路
rdqs, /rdqs 差别的 数据 strobe为 读 VSSQ 地面 为 dq 电路
/cs 碎片 选择 VREF 输入 涉及 电压
/ras, /cas, /我们 command 输入 VDDL 供应 电压 为 dll 电路
CKE 时钟 使能 VSSDL 地面 为 dll 电路
ck, /ck 差别的 时钟 输入 NC*
1
非 连接
DM 写 数据 掩饰 NU*
2
不 usable
注释: 1. 不 内部 连接 和 消逝.
2. don’t 使用 其它 比 保留 功能.
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