初步的 数据 薄板 e0643e30 (ver. 3.0)
2
EDX5116ABSE
elpida 记忆
密度
25: 256m (x 16bit)
Organization
16: x16bit
电源 供应, 接口
一个: 1.8v, drsl
消逝 rev.
包装
se: fbga
(
µ
bga 和 后面的 覆盖)
产品 家族
x: xdr dram
类型
d: 大而单一的 设备
e d x 51 16 一个 b se - 4c - e
环境 代号
e: 含铅的 自由
速
4c: 4.0g (trac = 28, c bin
)
3c: 3.2g (trac = 35, c bin)
3b: 3.2g (trac = 35, b bin)
3a: 3.2g (trac = 27, 一个 bin)
2a: 2.4g (trac = 36, 一个 bin)
订货 信息
部分 号码
部分 号码 Organization 带宽 (1/tbit) latency (trac) Bin 包装
edx5116abse-4c-e
edx5116abse-3c-e
edx5116abse-3b-e
edx5116abse-3a-e
edx5116abse-2a-e
4M
×
16
×
8 banks 4.0g
3.2g
3.2g
3.2g
2.4g
28
35
35
27
36
C
C
B
一个
一个
104-球 fbga
(
µ
bga)
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