ii. 制造 信息
一个. 描述/函数:双-同步的 buck 控制者 为 要点-的-加载, tracking, 和 ddr 记忆 电源
供应
b. process: S8(标准0.8micron 硅 门 cmos)
c. 号码 的 设备 晶体管: 5504
d. fabrication location:California, usa
e. 组装 location: philippines 或者泰国
f. 日期 的 最初的 生产: january, 2004
iii. 包装 信息
一个. 包装 类型:
28-管脚 qsop
b. 含铅的 框架: 铜
c. 含铅的 完成: 焊盘 加设护板
d. 消逝 连结: Silver-Filled环氧的
e. bondwire: 金 (1.3mil dia.)
f. 模型 材料: 环氧的 和 silica filler
g. 组装 图解: #05-9000-0559
h. flammability 比率: 类 ul94-V0
i. 分类 的 潮气 敏锐的
每 电子元件工业联合会 standardJ-标准-020-一个:水平的 1
iv. 消逝 信息
一个. 维度: 140 x 80毫英寸
b. passivation: Si
3
N
4
/sio
2
(硅 渗氮/ 硅 dioxide)
c. interconnect: 铝/si (si = 1%)
d. backside 敷金属: 毫无
e. 最小 metal 宽度: 0.8microns (作 描绘)
f. 最小 metal 间隔: 0.8microns (作 描绘)
g. bondpad 维度: 5 mil. sq.
h. 分开 dielectric: SiO
2
i. 消逝 分离 方法: 薄脆饼 锯