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sp207ehds/08 sp207eh 序列 高 效能 transceivers © 版权 2000 sipex 公司
特性
作 在 这 原来的 rs-232 multi-频道
产品, 这
SP207EH
序列
高 速
multi-频道 rs-232 线条 transceivers 提供
一个 多样性 的 配置 至 合适 大多数 设计,
特别 高 速 产品 在哪里 +12v
是 不 有. 这
sp207eh 序列
是 一个
更好的 高 速 漏出-在 替换 至 我们的
previous 版本 作 好 作 popular 工业
standards.
所有 设备 在 这个 序列 特性 低-电源
cmos 构建 和
sipex's
专卖的
在-板 承担 打气 电路系统 至 发生 这
+10v rs-232 电压 水平. 这 能力 至
使用 0.1
µ
f 承担 打气 电容 saves
板 空间 和 减少 生产 costs.
这 设备 在 这个 序列 提供 不同的
驱动器/接受者 结合体 至 相一致 任何
应用 必要条件.
这
SP211EH
和
SP213EH
模型 特性 一个
low–power 关闭 模式, 这个 减少
电源 供应 流 至 1
µ
一个. 这
SP213EH
包含 一个 wake-向上 函数 这个 keeps 二
接受者 起作用的 在 这 关闭 模式, 除非
无能 用 这 en 管脚.
这 家族 是 有 在 28–pin 所以 (宽) 和
ssop (shrink) 小 外形 包装. 设备
能 是 指定 为 商业的 (0
°
c 至 +70
°
c)
和 工业的/扩展 (–40
°
c 至 +85
°
c) oper-
ating 温度.
theory 的 运作
这
sp207eh 序列
设备 是 制造 向上 的
三 基本 电路 blocks — 1) 传输者/
驱动器, 2) 接受者 和 3) 这
SIPEX
–propri-
etary 承担 打气. 各自 模型 在里面 这
序列 包含 变化 的 这些 电路
至 达到 这 desired 配置 和
效能.
Charge–Pump
这 承担 打气 是 一个
Sipex
–patented 设计
(5,306,954) 和 使用 一个 唯一的 approach
对照的 至 older less–efficient 设计. 这
承担 打气 安静的 需要 四 外部 电容,
但是 使用 一个 four–phase 电压 shifting 技巧
至 attain 对称的 10v 电源 供应.
图示 3a
显示 这 波形 建立 在 这
积极的 一侧 的 电容 c
2
, 和
图示 3b
显示
这 负的 一侧 的 电容 c
2
. 那里 是 一个
free–running 振荡器 那 控制 这 四
阶段 的 这 电压 shifting. 一个 描述 的
各自 阶段 跟随.
阶段 1
— v
SS
承担 存储 —during 这个 阶段 的 这
时钟 循环, 这 积极的 一侧 的 电容 c
1
和 c
2
是 initially charged 至 +5v. c
l
+
是 然后
切换 至 地面 和 这 承担 在 c
1
–
是
transferred 至 c
2
–
. 自从 c
2
+
是 连接 至
+5v, 这 电压 潜在的 横过 电容 c
2
是
now 10v.
阶段 2
— v
SS
转移 — 阶段 二 的 这 时钟
connects 这 负的 终端 的 c
2
至 这 v
SS
存储 电容 和 这 积极的 终端 的 c
2
至 地面, 和 transfers 这 发生 –l0v 至
C
3
. 同时发生地, 这 积极的 一侧 的 电容
C
1
是 切换 至 +5v 和 这 负的 一侧 是
连接 至 地面.
阶段 3
— v
DD
承担 存储 — 这 第三 阶段 的 这
时钟 是 完全同样的 至 这 第一 阶段 — 这 承担
transferred 在 c
1
生产 –5v 在 这 负的
终端 的 c
1
, 这个 是 应用 至 这 负的
一侧 的 电容 c
2
. 自从 c
2
+
是 在 +5v, 这
电压 潜在的 横过 c
2
是 l0v.
V
CC
= +5v
–5V –5V
+5V
V
SS
存储 电容
V
DD
存储 电容
C
1
C
2
C
3
C
4
+
+
++
–
–
––
图示 1. 承担 打气 — 阶段 1
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