首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:295157
 
资料名称:MEK350-02DA
 
文件大小: 52.57K
   
说明
 
介绍:
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Module
 
 


: 点此下载
  浏览型号MEK350-02DA的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
© 2000 ixys 所有 权利 保留
2 - 2
mek 350-02 da
200 600 10000 400 800
80
120
160
200
240
280
0.001 0.01 0.1 1 10
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0 50 100 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°
C
-di
F
/dt
t
s
k/w
0 400 800 1200
10
30
50
70
90
0
20
40
60
80
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
FR
di
F
/dt
200 600 10000 400 800
10
30
50
0
20
40
60
10 100 1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0 0.4 0.8 1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
400
I
RM
Q
r
I
F
一个
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
一个/
m
s
一个
V
µ
C
一个/
m
s
一个/
m
s
t
rr
ns
t
fr
Z
thJS
一个/
m
s
µ
s
V
图. 7 瞬时 热的 阻抗 接合面 至 散热器
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 100v
T
VJ
= 125
°
C
I
F
= 350a
constants 为 z
thJS
计算:
iR
thi
(k/w) t
i
(s)
1 0.002 0.08
2 0.008 0.024
3 0.054 0.112
4 0.164 0.464
图. 3 顶峰 反转 电流 i
RM
相比 -di
F
/dt
图. 2 反转 恢复 承担 q
r
相比 -di
F
/dt
图. 1 向前 电流 i
F
相比
电压 漏出 v
F
每 leg
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 100v
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 100v
Q
r
I
RM
图. 4 动态 参数 q
r
, i
RM
相比 接合面 温度 t
VJ
图. 5 恢复 时间 t
rr
相比 -di
F
/dt 图. 6 顶峰 向前 电压 v
FR
和 t
fr
相比 di
F
/dt
T
VJ
=125
°
C
T
VJ
=25
°
C
I
F
= 700a
I
F
= 350a
I
F
= 175a
I
F
= 700a
I
F
= 350a
I
F
= 175a
I
F
= 700a
I
F
= 350a
I
F
= 175a
V
FR
t
fr
Z
thJH
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com