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fn7325.5
october 26, 2005
图示 31. 调和的 扭曲量 图示 32. 调和的 扭曲量
图示 33. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
图示 34. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
图示 35. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
图示 36. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
典型 效能 曲线
(持续)
1.136w
θ
J
一个
=
8
8
°
C
/w
Q
S
O
P
2
4
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
0 255075100 150
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
12585
电子元件工业联合会 jesd51-7 高 有效的
热的 conductivity 测试 板
0.4
870mW
θ
J
一个
=
1
1
5
°
C
/
W
Q
S
O
P
2
4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0
0 255075100 150
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
12585
电子元件工业联合会 jesd51-3 低 有效的
热的 conductivity 测试 板
0.2
电子元件工业联合会 jesd51-7 高 有效的 热的
conductivity 测试 板 - qfn exposed
diepad 焊接 至 pcb 每 jesd51-5
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
3
2.5
0.5
0
1.5
025 7510012585 15050
2
1
2.500w
θ
JA
=
4
0
°
C
/
W
Q
F
N
2
0
(
4
m
m
x
4
m
m
)
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
0.8
0.7
0.3
0
0.1
0.5
025 7510012585 15050
0.6
0.2
0.4
电子元件工业联合会 jesd51-3 和 semi g42-88 (单独的
layer) 测试 板
667mW
θ
J
一个
=
1
5
0
°
C
/
W
Q
F
N
2
0
(
4
m
m
x
4
m
m
)
EL4543
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