EM39LV040
4m (512kx8) 位 flash 记忆
规格
硬件 数据 保护
噪音/glitch 保护
:
一个 we# 或者 ce# 脉冲波 的 较少 比 5 ns 将 不 initiate 一个
写 循环.
V
DD
电源 向上/向下 发现
:
这 写 运作 是 inhibited 当 v
DD
是 较少 比
1.5v.
写 inhibit 模式
:
forcing oe# 低, ce# 高, 或者 we# 高 将 inhibit 这
写 运作. 这个 prevents inadvertent 写 在
电源-向上 或者 电源-向下.
软件 数据 保护 (sdp)
这 em39lv040 提供 这 电子元件工业联合会 批准 所以ftware 数据 保护 (sdp) scheme 为
程序 和 擦掉 行动. 任何 程序运作 需要 这 包括 的 这
三-字节 sequence. 这 三-字节 加载 sequence 是 使用 至 initiate 这 程序 运作,
供应 最优的 保护 从 inadvertent写 行动, 特别 在 这 系统
电源-向上 或者 电源-向下 transiti在. 任何 擦掉 运作 需要 这 包括 的 六-字节
sequence. 看 表格 3 在下 为 这 规格ific 软件 command 代号. 在 sdp
command sequence, invalid commands 将 abort 这 设备 至 读 模式 在里面 t
RC
.
软件 command sequence
1st 总线
写 循环
2nd 总线
写 循环
3rd 总线
写 循环
4th 总线
写 循环
5th 总线
写 循环
6th 总线
写 循环
Command
Sequence
地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据 地址
1
数据
字节 程序 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H A0H BA
2
数据
sector 擦掉 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 80H 5555H AAH 2AAAH 55H SA
X
3
30H
碎片 擦掉 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 80H 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 10H
软件 id
Entry
4
5555h aah 2aaah 55h 5555H 90H
制造 id 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 90H 0000H 7FH
制造 id 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 90H 0003H 7FH
制造 id 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 90H 0040H 1FH
设备 id 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 90H 0001H 29FH
软件 id exit
5
xxh f0h
软件 id exit
5
5555h aah 2aaah 55h 5555H F0H
注释
:
1. 地址 format a18-a0 (十六进制) &放大; 地址 a16 能 是 v
IL
或者 v
IH
, (但是 非 其它 值)为 这 command sequence.
2. ba = 程序 字节 地址.
3. sa
X
为 sector-擦掉; 使用 a19-a12 地址 线条.
4. 这 设备 做 不 仍然是 在 软件 产品 id模式 如果 powered 向下 (看 图示 9 为 更多 信息).
5. 两个都 软件 id exit 行动 是 相等的.
表格 3:
软件 command sequence
这个 规格 是 subject 至 改变 没有 更远 注意. (07.22.2004 v1.0)
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