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4mx32 ddr sdram
EM6A9320
etron confidential
7 rev 0.3 july. 2002
扩展 模式 寄存器 设置 (emrs)
这 扩展 模式 寄存器 设置 stores 这 数据 为 enabling 或者 disabling dll 和 selecting 输出 驱动器
力量. 这 default 值 的 这 扩展 模式 寄存器 是 不 定义, 因此 必须 是 写 之后 电源
向上 为 恰当的 运作. 这 扩展 模式 寄存器 是 写 用 asserting 低 在 cs#, ras#, cas#, 和 we#.
这 状态 的 a0, a2 ~ a5, a7 ~ a11and ba1 是 写 在 这 模式 寄存器 在 这 一样 循环 作 cs#, ras#,
cas#, 和 we# going 低. 这 ddr sdram 应当 是 在 所有 bank precharge 和 cke already 高 较早的 至
writing 在 这 扩展 模式 寄存器. a1 和 a6 是 使用 为 设置 驱动器 力量 至 正常的, 弱 或者
matched 阻抗. 二 时钟 循环 是 必需的 至 完全 这 写 运作 在 这 扩展 模式
寄存器. 这 模式 寄存器 内容 能 是 changed 使用 这 一样 command 和 时钟 循环 (所需的)东西
在 运作 作 长 作 所有 banks 是 在 这 空闲 状态. a0 是 使用 为 dll 使能 或者 使不能运转. "高" 在 ba0 是
使用 为 emrs. 谈及 至 这 表格 为 明确的 代号.
扩展 模式 电阻 bitmap
ba1 ba0 a11 a10 a9 a8 a7 a6 a5 a4 a3 a2 a1 a0
0 1 rfu 必须 是 设置 至
“
0
”
DS1 rfu 必须 是 设置 至
“
0
”
ds0 dll
ba0 模式 a6 a1 驱动 力量 力量 Comment A0 DLL
0 mrs
0 0 全部 100%
0
使能
1 emrs 0 1 sstl-2 弱 60% 1 使不能运转
1 0 RFU RFU 做 不 使用
1 1 matched 阻抗 30%
输出 驱动器 matches 阻抗
电源 向上 sequence
电源 向上 必须 是 执行 在 这 下列的 sequence.
1) 应用 电源 至 v
DD
在之前 或者 在 这 一样 时间 作 v
ddq,
V
TT
和 v
REF
当 所有 输入 信号 是 使保持
"nop" 状态 和 维持 cke
“
低
”
.
2) 开始 时钟 和 维持 稳固的 情况 为 最小 200us.
3) 公布 一个
“
NOP
”
command 和 保持 cke
“
高
”
4) 公布 一个
“
precharge 所有
”
command.
5) 公布 emrs
–
使能 dll.
6) 公布 mrs
–
重置 dll. (一个 额外的 200 时钟 循环 是 必需的 至 锁 这 dll).
7) precharge 所有 banks 的 这 设备.
8) 公布 二 或者 更多 自动 refresh commands.
9) 公布 mrs
–
和 a8 至 低 至 initialize 这 模式 寄存器.
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